摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第12-36页 |
1.1 层状过渡金属硫化物的电子结构 | 第12-20页 |
1.1.1 单层过渡金属硫化物的电子结构 | 第12-14页 |
1.1.2 过渡金属硫化物电子结构对层数的依赖关系 | 第14-17页 |
1.1.3 应力作用下过渡金属硫化物的电子结构 | 第17-20页 |
1.2 单层二硫化钼的光学性质 | 第20-23页 |
1.2.1 二硫化钼的光学吸收谱 | 第20页 |
1.2.2 应变作用下二硫化钼的介电性能 | 第20-21页 |
1.2.3 二硫化钼材料中的自旋-能谷耦合及光学选择定则 | 第21-23页 |
1.3 二维过渡金属硫化物在二次电池中的应用 | 第23-28页 |
1.4 本论文研究的主要内容 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-36页 |
第2章 理论计算方法 | 第36-62页 |
2.1 密度泛函理论简介 | 第36-45页 |
2.1.1 Bohn-Oppenheimer近似 | 第36-37页 |
2.1.2 Hartree-Fock理论 | 第37-38页 |
2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第38-40页 |
2.1.4 Kohn-Sham方程 | 第40-41页 |
2.1.5 交换关联泛函 | 第41-44页 |
2.1.6 密度泛函理论的局限 | 第44-45页 |
2.2 多体格林函数理论 | 第45-50页 |
2.2.1 格林函数 | 第45-46页 |
2.2.2 Dyson方程和自能 | 第46-48页 |
2.2.3 GW近似 | 第48-49页 |
2.2.4 Bethe-Salpeter方程 | 第49-50页 |
2.3 过渡态理论 | 第50-52页 |
2.3.1 四个基本假设 | 第50-51页 |
2.3.2 势能面 | 第51页 |
2.3.3 弹性能带法 | 第51-52页 |
2.4 时域有限差分方法 | 第52-56页 |
2.4.1 时域有限差分原理 | 第52页 |
2.4.2 标量麦克斯韦方程 | 第52页 |
2.4.3 有限时域差分迭代方程 | 第52-53页 |
2.4.4 数值性能 | 第53-54页 |
2.4.5 边界条件 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-62页 |
第3章 二维过渡金属硫化物的负折射现象研究 | 第62-78页 |
3.1 引言 | 第62-63页 |
3.2 理论与计算方法 | 第63-65页 |
3.3 结果与讨论 | 第65-74页 |
3.3.1 体相二硫化钼的电子结构和光学性质 | 第65-67页 |
3.3.2 麦克斯韦方程组的数值求解 | 第67-69页 |
3.3.3 有限时域差分模拟 | 第69-74页 |
3.4 本章小结 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-78页 |
第4章 基于单层二硫化钼的新型可调谐反射式光栅的设计 | 第78-96页 |
4.1 引言 | 第78-79页 |
4.2 理论与计算方法 | 第79-80页 |
4.3 结果与讨论 | 第80-89页 |
4.3.1 拉伸双轴应变作用下单层二硫化钼的电子结构 | 第80-83页 |
4.3.2 拉伸双轴应变作用下单层二硫化钼的光学性质 | 第83-89页 |
4.4 样品制备与实验验证 | 第89-90页 |
4.4.1 二硫化铝反射式光栅的制备 | 第89页 |
4.4.2 应力作用下二硫化钼反射式光栅一级衍射光谱 | 第89-90页 |
4.5 本章总结 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-96页 |
第5章 二硫化钒应用与锂、钠二次电池的第一性原理研究 | 第96-114页 |
5.1 引言 | 第96-97页 |
5.2 理论与计算方法 | 第97-99页 |
5.3 二硫化钒应用于锂二次电池研究 | 第99-105页 |
5.3.1 单层二硫化钒应用于锂二次电池研究 | 第99-102页 |
5.3.2 体相二硫化钒应用于锂二次电池研究 | 第102-105页 |
5.4 二硫化钒应用于钠二次电池研究 | 第105-109页 |
5.4.1 单层二硫化钒应用于钠二次电池研究 | 第105-106页 |
5.4.2 体相二硫化钒应用于钠二次电池研究 | 第106-109页 |
5.5 本章小结 | 第109-110页 |
参考文献 | 第110-114页 |
第6章 论文总结与展望 | 第114-116页 |
6.1 总结 | 第114-115页 |
6.2 展望 | 第115-116页 |
致谢 | 第116-118页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第118-119页 |