| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1. 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 等离子体概述及应用 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米二氧化钛薄膜 | 第10-17页 |
| 1.2.1 TiO_2的结构与光催化应用 | 第11-13页 |
| 1.2.2 TiO_2薄膜的制备及改性 | 第13-17页 |
| 1.3 等离子体法制备TiO_2薄膜及研究现状 | 第17-19页 |
| 1.4 论文的选题依据及研究内容 | 第19-21页 |
| 2 实验部分 | 第21-28页 |
| 2.1 TiO_2薄膜制备的实验装置 | 第21-22页 |
| 2.2 放电的诊断方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 电学测量及放电功率的计算 | 第22-23页 |
| 2.2.2 发射光谱诊断 | 第23-25页 |
| 2.3 TiO_2薄膜的表征及光催化评价 | 第25-28页 |
| 2.3.1 表征方法 | 第25页 |
| 2.3.2 TiO_2的光催化原理 | 第25-27页 |
| 2.3.3 TiO_2薄膜的光催化评价过程 | 第27-28页 |
| 3 低气压等离子体的发射光谱诊断 | 第28-41页 |
| 3.1 不同放电体系的放电特性 | 第28-33页 |
| 3.1.1 放电的电压-电流波形 | 第28-29页 |
| 3.1.2 放电条件对放电功率的影响 | 第29-33页 |
| 3.2 低气压等离子体发射光谱诊断 | 第33-41页 |
| 3.2.1 Ar放电中流量和输入功率的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.2 Ar+O_2放电中氧气分压和输入功率的影响 | 第35-38页 |
| 3.2.3 TTIP+Ar+O_2放电中氧气分压和输入功率的影响 | 第38-41页 |
| 4 低气压等离子体制备及处TiO_2薄膜 | 第41-55页 |
| 4.1 放电条件对制备薄膜的影响 | 第41-47页 |
| 4.1.1 总气压的影响 | 第41-42页 |
| 4.1.2 氧气分压的影响 | 第42-44页 |
| 4.1.3 输入功率的影响 | 第44-45页 |
| 4.1.4 沉积时间的影响 | 第45-47页 |
| 4.2 TiO_2薄膜的后处理及N_2等离子体处理的机理研究 | 第47-55页 |
| 4.2.1 处理气氛对薄膜性质的影响 | 第48-51页 |
| 4.2.2 输入功率对光催化活性的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.3 处理时间对光催化活性的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.4 N_2等离子体处理的机理研究 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
