| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 等离子体及其应用简介 | 第9-11页 |
| 1.2 等离子体的诊断方法 | 第11-12页 |
| 1.3 谐波探针方法的发展现状 | 第12-13页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第13-14页 |
| 2 实验所用静电探针诊断原理 | 第14-20页 |
| 2.1 单探针的基本原理 | 第14-17页 |
| 2.1.1 Langmuir单探针结构 | 第14-15页 |
| 2.1.2 Langmuir单探针的基本分析方法 | 第15-17页 |
| 2.2 谐波探针的实验原理 | 第17-20页 |
| 2.2.1 谐波探针结构 | 第17-18页 |
| 2.2.2 谐波探针诊断方法的理论分析 | 第18-20页 |
| 3 实验装置 | 第20-29页 |
| 3.1 基于LabVIEW的探针装置 | 第20-23页 |
| 3.1.1 探针装置整体外观 | 第20-21页 |
| 3.1.2 Langmuir单探针系统操作界面 | 第21-22页 |
| 3.1.3 谐波探针偏压信号源电路的探索 | 第22页 |
| 3.1.4 谐波探针系统操作界面 | 第22-23页 |
| 3.2 在微波ECR等离子体放电设备中的诊断装置 | 第23-26页 |
| 3.2.1 微波ECR等离子体放电设备 | 第23-25页 |
| 3.2.2 DLC薄膜沉积环境等离子体诊断实验装置 | 第25-26页 |
| 3.2.3 SiN_x薄膜沉积环境等离子体诊断实验装置 | 第26页 |
| 3.3 薄膜厚度的测量 | 第26-29页 |
| 4 诊断实验结果与讨论 | 第29-37页 |
| 4.1 Ar放电条件下偏压信号频率f对谐波探针诊断结果的影响 | 第29-30页 |
| 4.2 Ar放电条件下偏压信号幅度V_0对谐波探针诊断结果的影响 | 第30-32页 |
| 4.2.1 不同微波功率下T_e、n_i随V_0的变化 | 第30-31页 |
| 4.2.2 不同放电气压下T_e、n_i随V_0的变化 | 第31页 |
| 4.2.3 偏压幅度V_0对谐波探针诊断结果影响的分析 | 第31-32页 |
| 4.3 谐波探针和传统Langmuir单探针诊断结果的比较 | 第32-34页 |
| 4.3.1 两种探针诊断结果比较 | 第32-34页 |
| 4.3.2 比较结果分析 | 第34页 |
| 4.4 薄膜沉积环境下谐波探针对等离子体T_e、n_i的诊断 | 第34-37页 |
| 4.4.1 CVD制备DLC薄膜环境下的等离子体诊断 | 第34-35页 |
| 4.4.2 RF磁控溅射沉积SiN_x薄膜环境下的等离子体诊断 | 第35-37页 |
| 5 谐波探针的仪器化设计 | 第37-42页 |
| 5.1 软件程序框图 | 第37-40页 |
| 5.2 软件程序操作界面 | 第40-41页 |
| 5.3 结果验证 | 第41-42页 |
| 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
