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基于共振能级效应的GeTe和SnTe热电材料第一性原理研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
1 绪论第8-21页
    1.1 热电效应简介第8-12页
        1.1.1 Seebeck效应第8-9页
        1.1.2 Peltier效应第9-10页
        1.1.3 Thomson效应第10页
        1.1.4 热电材料性能参数第10-12页
    1.2 寻找最优热电材料性能的主要方法第12-17页
        1.2.1 共振能级第12-14页
        1.2.2 能量过滤第14-15页
        1.2.3 降低热导率第15-16页
        1.2.4 同时优化Seebeck系数和电导率第16-17页
    1.3 国内外研究现状和本文主要研究内容第17-21页
        1.3.1 GeTe、SnTe基热电材料国内外研究现状第17-19页
        1.3.2 本文主要研究内容第19-21页
2. 计算方法第21-30页
    2.1 第一性原理基本概念介绍第21页
    2.2 第一性原理的应用第21页
    2.3 密度泛函理论第21-23页
        2.3.1 Thomas-Fermi模型第21-22页
        2.3.2 Hohenberg-Kohn定理第22-23页
        2.3.3 Kohn-Sham方程第23页
    2.4 交换关联泛函(CORRELATION EXCHANGE FUNCTIONAL)第23-27页
        2.4.1 局域密度近似泛函(Local Density Approximation, LDA)第23-24页
        2.4.2 广义梯度近似泛函(Generalized Gradient Approximation,GGA)第24-26页
        2.4.3 轨道泛函(LDA(GGA) + U)第26页
        2.4.4 杂化密度泛函(Hydrid Density Functional)第26-27页
    2.5 线性缀加平面波方法(LAPW)第27-29页
    2.6 本文采取的密度泛函理论计算软件(VASP)第29-30页
3 GE空位对GETE材料热电性能影响第30-34页
    3.1 引言第30页
    3.2 计算方法和模型第30-31页
    3.3 计算结果与讨论第31-33页
        3.3.1 不同含量Ge空位材料态密度第31页
        3.3.2 不同含量Ge空位材料能带图第31-33页
    3.4 本章小结第33-34页
4 基于共振能级方法提高SNTE性能第34-45页
    4.1 引言第34页
    4.2 计算方法和模型第34-35页
    4.3 SNTE为基掺杂第三主族元素第35-44页
        4.3.1 Sn31A1Te32 (A=B、Al、Ga、In、Tl)的第一性原理计算第35-36页
        4.3.2 SnTe掺In电子性质第36-39页
        4.3.3 SnTe掺Al模拟计算的电子性质第39-41页
        4.3.4 SnTe掺Al试验分析第41-44页
    4.4 本章总结第44-45页
结论第45-46页
参考文献第46-50页
攻读硕士学位期间发表论文及科研成果第50-51页
致谢第51-52页

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