摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
1 绪论 | 第8-21页 |
1.1 热电效应简介 | 第8-12页 |
1.1.1 Seebeck效应 | 第8-9页 |
1.1.2 Peltier效应 | 第9-10页 |
1.1.3 Thomson效应 | 第10页 |
1.1.4 热电材料性能参数 | 第10-12页 |
1.2 寻找最优热电材料性能的主要方法 | 第12-17页 |
1.2.1 共振能级 | 第12-14页 |
1.2.2 能量过滤 | 第14-15页 |
1.2.3 降低热导率 | 第15-16页 |
1.2.4 同时优化Seebeck系数和电导率 | 第16-17页 |
1.3 国内外研究现状和本文主要研究内容 | 第17-21页 |
1.3.1 GeTe、SnTe基热电材料国内外研究现状 | 第17-19页 |
1.3.2 本文主要研究内容 | 第19-21页 |
2. 计算方法 | 第21-30页 |
2.1 第一性原理基本概念介绍 | 第21页 |
2.2 第一性原理的应用 | 第21页 |
2.3 密度泛函理论 | 第21-23页 |
2.3.1 Thomas-Fermi模型 | 第21-22页 |
2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第22-23页 |
2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第23页 |
2.4 交换关联泛函(CORRELATION EXCHANGE FUNCTIONAL) | 第23-27页 |
2.4.1 局域密度近似泛函(Local Density Approximation, LDA) | 第23-24页 |
2.4.2 广义梯度近似泛函(Generalized Gradient Approximation,GGA) | 第24-26页 |
2.4.3 轨道泛函(LDA(GGA) + U) | 第26页 |
2.4.4 杂化密度泛函(Hydrid Density Functional) | 第26-27页 |
2.5 线性缀加平面波方法(LAPW) | 第27-29页 |
2.6 本文采取的密度泛函理论计算软件(VASP) | 第29-30页 |
3 GE空位对GETE材料热电性能影响 | 第30-34页 |
3.1 引言 | 第30页 |
3.2 计算方法和模型 | 第30-31页 |
3.3 计算结果与讨论 | 第31-33页 |
3.3.1 不同含量Ge空位材料态密度 | 第31页 |
3.3.2 不同含量Ge空位材料能带图 | 第31-33页 |
3.4 本章小结 | 第33-34页 |
4 基于共振能级方法提高SNTE性能 | 第34-45页 |
4.1 引言 | 第34页 |
4.2 计算方法和模型 | 第34-35页 |
4.3 SNTE为基掺杂第三主族元素 | 第35-44页 |
4.3.1 Sn31A1Te32 (A=B、Al、Ga、In、Tl)的第一性原理计算 | 第35-36页 |
4.3.2 SnTe掺In电子性质 | 第36-39页 |
4.3.3 SnTe掺Al模拟计算的电子性质 | 第39-41页 |
4.3.4 SnTe掺Al试验分析 | 第41-44页 |
4.4 本章总结 | 第44-45页 |
结论 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-50页 |
攻读硕士学位期间发表论文及科研成果 | 第50-51页 |
致谢 | 第51-52页 |