| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1.1 前言 | 第12-13页 |
| 1.2 ZnO压敏电阻晶界特性的国内外研究情况 | 第13-14页 |
| 1.3 ZnO压敏薄膜的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 ZnO压敏陶瓷材料的微观结构特征 | 第16-18页 |
| 1.4.1 ZnO晶粒 | 第16-17页 |
| 1.4.2 晶界层 | 第17-18页 |
| 1.4.3 尖晶石相 | 第18页 |
| 1.5 ZnO压敏电阻器的导电机理 | 第18-22页 |
| 1.5.1 ZnO压敏电阻器的I-V特性曲线 | 第18-19页 |
| 1.5.2 ZnO压敏电阻的导电机理 | 第19-22页 |
| 1.5.2.1 预击穿区的导电机理 | 第19-21页 |
| 1.5.2.2 击穿区的导电机理 | 第21-22页 |
| 1.5.2.3 回升区的导电机理 | 第22页 |
| 1.6 ZnO压敏电阻的电性能参数 | 第22-25页 |
| 1.6.1 非线性系数 | 第22-23页 |
| 1.6.2 压敏电压 | 第23页 |
| 1.6.3 漏电流 | 第23-24页 |
| 1.6.4 相对介电常数 | 第24页 |
| 1.6.5 通流容量和能量耐量 | 第24页 |
| 1.6.6 残压比 | 第24-25页 |
| 1.7 薄膜制备方法 | 第25-27页 |
| 1.7.1 磁控溅射法（Magnetron Sputtering） | 第25页 |
| 1.7.2 溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第25-26页 |
| 1.7.3 脉冲激光沉积法（Pulsed Laser Deposition,PLD） | 第26页 |
| 1.7.4 化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD） | 第26页 |
| 1.7.5 喷雾热解法(Spray Pyrolysis，SP) | 第26-27页 |
| 1.7.6 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE） | 第27页 |
| 1.8 本文主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 ZnO压敏薄膜的制备及测试方法 | 第29-37页 |
| 2.1 ZnO压敏薄膜的制备 | 第29-35页 |
| 2.1.1 实验原料和仪器设备 | 第29-30页 |
| 2.1.2 ZnO压敏薄膜分层制备过程 | 第30-35页 |
| 2.1.2.1 溶胶凝胶-旋涂法制备薄膜基本原理及过程 | 第30-34页 |
| 2.1.2.2 磁控溅射法分层制备薄膜过程 | 第34-35页 |
| 2.2 样品表征及性能测试 | 第35-37页 |
| 2.2.1 物相分析 | 第35页 |
| 2.2.2 微观形貌分析 | 第35-36页 |
| 2.2.3 电学性能测试 | 第36-37页 |
| 第三章 溶胶凝胶-旋涂法构建ZnO平面晶界势垒 | 第37-54页 |
| 3.1 前言 | 第37页 |
| 3.2 样品的制备及测试 | 第37-38页 |
| 3.3 不同类型分层薄膜的电学性能对比 | 第38-43页 |
| 3.3.1 物相组成和微观形貌 | 第38-40页 |
| 3.3.2 电学性能分析 | 第40-43页 |
| 3.4 退火温度对薄膜压敏性能的影响 | 第43-48页 |
| 3.4.1 物相组成和微观形貌 | 第43-47页 |
| 3.4.2 电学性能分析 | 第47-48页 |
| 3.5 预处理温度对薄膜压敏性能的影响 | 第48-50页 |
| 3.5.1 微观形貌 | 第48-49页 |
| 3.5.2 电学性能分析 | 第49-50页 |
| 3.6 正反偏电压对电学性能的影响 | 第50-52页 |
| 3.6.1 正反偏电压下的电压-电流曲线 | 第50-52页 |
| 3.6.2 正反偏电压电学性能对比分析 | 第52页 |
| 3.7 本章总结 | 第52-54页 |
| 第四章 磁控溅射法构建ZnO平面晶界势垒 | 第54-71页 |
| 4.1 前言 | 第54页 |
| 4.2 影响磁控反应溅射沉积薄膜的主要因素 | 第54-55页 |
| 4.2.1 溅射功率 | 第54页 |
| 4.2.2 本底真空度和氧氩比 | 第54-55页 |
| 4.2.3 溅射速率 | 第55页 |
| 4.2.4 溅射时间 | 第55页 |
| 4.3 样品制备与测试 | 第55-56页 |
| 4.4 ZnO薄膜层的电学性能对比 | 第56-60页 |
| 4.4.1 物相组成及微观形貌 | 第56-59页 |
| 4.4.2 四种不同条件单层ZnO薄膜的I-V曲线 | 第59-60页 |
| 4.5 Bi_2O_3薄膜层靶材的选择 | 第60-70页 |
| 4.5.1 利用纯铋靶的电学性能分析 | 第60-62页 |
| 4.5.1.1 Bi_2O_3薄膜的物相组成与微观形貌 | 第60-61页 |
| 4.5.1.2 电学性能分析 | 第61-62页 |
| 4.5.2 利用氧化铋靶的电学性能分析 | 第62-70页 |
| 4.5.2.1 氧化铋层的物相组成和微观形貌 | 第63-67页 |
| 4.5.2.2 电学性能分析 | 第67-70页 |
| 4.6 本章总结 | 第70-71页 |
| 全文总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 附件 | 第82页 |
