摘要 | 第8-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 实验室中产生等离子体的主要方法 | 第11-12页 |
1.3 双频驱动的大气压冷等离子体射流 | 第12-13页 |
1.4 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) | 第13-14页 |
1.5 氧化硅薄膜及其常用制备方法 | 第14-15页 |
1.6 本论文主要研究内容 | 第15-16页 |
参考文献 | 第16-19页 |
第二章 实验及其测试 | 第19-25页 |
2.1 引言 | 第19页 |
2.2 实验设备 | 第19-20页 |
2.3 Antoine公式 | 第20页 |
2.4 等离子体光谱诊断技术 | 第20-22页 |
2.5 薄膜的检测技术 | 第22-24页 |
2.5.1 薄膜形态 | 第22页 |
2.5.2 薄膜化学成分及结构 | 第22-23页 |
2.5.3 薄膜结晶状态 | 第23-24页 |
参考文献 | 第24-25页 |
第三章 双频驱动的大气压冷等离子体射流沉积氧化硅薄膜 | 第25-41页 |
3.1 引言 | 第25-26页 |
3.2 氧化硅薄膜的制备 | 第26-32页 |
3.2.1 等离子体发射光谱 | 第26-27页 |
3.2.2 沉积条件的优化 | 第27-28页 |
3.2.3 薄膜的表征 | 第28-32页 |
3.3 不同组合频率对氧化硅薄膜制备的影响 | 第32-35页 |
3.3.1 等离子体发射光谱 | 第32-33页 |
3.3.2 薄膜的表征 | 第33-35页 |
3.4 本章小结 | 第35-37页 |
参考文献 | 第37-41页 |
第四章 总结与展望 | 第41-42页 |
4.1 本文主要结论 | 第41页 |
4.2 未来工作计划 | 第41-42页 |
附录: 硕士学位期间发表论文情况 | 第42-43页 |
致谢 | 第43页 |