| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-30页 |
| ·有机电子学概述 | 第9-14页 |
| ·无机电子到有机电子 | 第9-13页 |
| ·半导体存储技术的发展 | 第13-14页 |
| ·有机存储器件概述 | 第14-29页 |
| ·有机阻变存储器 | 第14-20页 |
| ·有机薄膜晶体管(OTFT)存储器 | 第20-24页 |
| ·有机存储器件的集成研究 | 第24-26页 |
| ·有机存储器的多值效应 | 第26-29页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第29-30页 |
| 第二章 有机半导体膜的制备及图案化方法 | 第30-39页 |
| ·有机半导体膜的制备方法 | 第30-33页 |
| ·溶液处理法 | 第30-31页 |
| ·真空沉积法 | 第31-32页 |
| ·有机气相沉积法(OVPD) | 第32页 |
| ·L-B膜法 | 第32-33页 |
| ·电化学聚合法 | 第33页 |
| ·有机半导体膜的图案化方法 | 第33-37页 |
| ·镂版(Shadow mask)技术 | 第34页 |
| ·喷墨打印(Inkjet printing)技术 | 第34-35页 |
| ·印章技术(Stamp printing) | 第35-36页 |
| ·丝网印刷技术(screen printing) | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 基于八羟基喹啉铝(Alq_3)的OMO结构薄膜器件的电存储特性 | 第39-53页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·八羟基喹啉铝背景知识介绍 | 第39-42页 |
| ·八羟基喹啉铝的基本特性 | 第39-40页 |
| ·八羟基喹啉铝的研究背景 | 第40-42页 |
| ·基于八羟基喹啉铝的金属纳米晶掺杂存储器的制备 | 第42-45页 |
| ·器件的制备 | 第42-43页 |
| ·金属纳米晶的表征 | 第43-45页 |
| ·电学测试结果与分析 | 第45-52页 |
| ·掺杂Au纳米晶器件的存储特性 | 第45-49页 |
| ·掺杂Al纳米晶器件的存储特性 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 基于酞菁氧钛(TiOPc)的有机存储器件的电存储特性 | 第53-60页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·酞菁氧钛背景知识介绍 | 第53-54页 |
| ·基于TiOPc的单组分薄膜存储器件的存储特性 | 第54-56页 |
| ·器件的制备 | 第54-55页 |
| ·电学测试与分析 | 第55-56页 |
| ·基于TiOPc的金纳米晶掺杂存储器的存储特性 | 第56-59页 |
| ·器件的制备 | 第56页 |
| ·电学测试与分析 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| ·论文工作总结 | 第60-61页 |
| ·未来研究展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-72页 |
| 攻读硕士期间发表论文、申请专利情况 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |