| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| §1.1 硅烯的研究进展 | 第10-14页 |
| §1.2 溅射生长硅材料的研究进展 | 第14-22页 |
| §1.3 本文研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验方法 | 第23-29页 |
| §2.1 射频、甚高频磁控溅射实验装置与实验条件 | 第23-25页 |
| §2.2 测量分析方法 | 第25-29页 |
| 2.2.1 原子力显微镜（AFM）分析 | 第25-26页 |
| 2.2.2 X射线衍射（XRD）分析 | 第26-27页 |
| 2.2.3 X射线光电子能谱（XPS）分析 | 第27页 |
| 2.2.4 拒斥场能量分析仪（RFEA）测量溅射离子能量 | 第27-29页 |
| 第三章 Ag薄膜基底对硅生长及结构的影响 | 第29-39页 |
| §3.1 Ag薄膜基底结构与结晶性能 | 第29-31页 |
| §3.2 不同结晶性能Ag薄膜基底上生长硅的AFM分析 | 第31-35页 |
| §3.3 不同结晶性能Ag薄膜基底上生长硅的XRD分析 | 第35-36页 |
| §3.4 不同结晶性能Ag薄膜基底上生长硅的XPS分析 | 第36-39页 |
| 第四章 溅射驱动频率对硅生长及结构的影响 | 第39-48页 |
| §4.1 Ag薄膜基底的选择 | 第39-40页 |
| §4.2 溅射驱动频率对硅表面微结构的影响 | 第40-43页 |
| §4.3 不同溅射驱动频率生长的硅的XRD分析 | 第43-44页 |
| §4.4 溅射驱动频率对硅键结构的影响 | 第44-48页 |
| 第五章 甚高频溅射的离子性能分析 | 第48-56页 |
| §5.1 离子能量和离子通量的获得 | 第48-50页 |
| §5.2 40.68 MHz磁控溅射基片表面处的离子性能 | 第50-53页 |
| §5.3 60 MHz磁控溅射基片表面处的离子性能 | 第53-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-59页 |
| §6.1 本文的主要研究结果 | 第56-57页 |
| §6.2 存在的问题和进一步研究方向 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
