| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 Diamond的概述 | 第8-11页 |
| 1.2.1 Diamond的结构及性质 | 第8-9页 |
| 1.2.2 BDD的结构及性质 | 第9-10页 |
| 1.2.3 Diamond薄膜的制备方法 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO的概述 | 第11-13页 |
| 1.3.1 ZnO的结构及性质 | 第11-12页 |
| 1.3.2 ZnO薄膜的制备方法 | 第12-13页 |
| 1.4 国内外研究进展 | 第13-15页 |
| 1.5 选题依据及研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 实验方法 | 第16-26页 |
| 2.1 实验设备与原理 | 第16-20页 |
| 2.1.1 HFCVD金刚石薄膜沉积系统 | 第16页 |
| 2.1.2 HFCVD原理 | 第16-18页 |
| 2.1.3 磁控溅射系统 | 第18页 |
| 2.1.4 磁控溅射原理 | 第18-20页 |
| 2.2 表征方法 | 第20-26页 |
| 2.2.1 X-射线衍射（XRD） | 第20-21页 |
| 2.2.2 扫描电子显微技术（SEM） | 第21-22页 |
| 2.2.3 扫描隧道探针（SPM） | 第22页 |
| 2.2.4 紫外-可见分光光谱（UV-Vis） | 第22-23页 |
| 2.2.5 拉曼光谱（Raman） | 第23-24页 |
| 2.2.6 霍尔效应（Hall） | 第24-25页 |
| 2.2.7 伏安特性曲线（I-V） | 第25-26页 |
| 第三章 薄膜的制备及其结构特性 | 第26-38页 |
| 3.1 BDD薄膜的制备及其特性 | 第26-31页 |
| 3.1.1 BDD薄膜的制备 | 第26页 |
| 3.1.2 BDD薄膜的相组成 | 第26-27页 |
| 3.1.3 BDD薄膜的形貌 | 第27-29页 |
| 3.1.4 BDD薄膜的特性 | 第29-30页 |
| 3.1.5 小结 | 第30-31页 |
| 3.2 ZnO薄膜的制备及其特性 | 第31-35页 |
| 3.2.1 ZnO薄膜的制备 | 第31-32页 |
| 3.2.2 ZnO薄膜的相组成 | 第32-33页 |
| 3.2.3 ZnO薄膜的形貌 | 第33-34页 |
| 3.2.4 ZnO薄膜的特性 | 第34-35页 |
| 3.2.5 小结 | 第35页 |
| 3.3 BDD/ZnO薄膜复合结构的制备及其特性 | 第35-38页 |
| 3.3.1 复合结构的制备 | 第35页 |
| 3.3.2 复合结构的相组成 | 第35-36页 |
| 3.3.3 复合结构的形貌 | 第36-37页 |
| 3.3.4 小结 | 第37-38页 |
| 第四章 BDD/ZnO薄膜复合结构的电学性质 | 第38-46页 |
| 4.1 BDD/ZnO薄膜复合结构器件的制备及性能 | 第38-40页 |
| 4.1.1 器件的制备 | 第38页 |
| 4.1.2 器件的性能 | 第38-39页 |
| 4.1.3 小结 | 第39-40页 |
| 4.2 退火温度对异质结器件的影响 | 第40-43页 |
| 4.2.1 退火温度对异质结器件相组成的影响 | 第40-41页 |
| 4.2.2 退火温度对异质结器件形貌的影响 | 第41页 |
| 4.2.3 退火温度对异质结器件Hall特性的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.4 退火温度对异质结器件电学性质的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.5 小结 | 第43页 |
| 4.3 工作温度对异质结器件的影响 | 第43-46页 |
| 4.3.1 工作温度对异质结器件电学性质的影响 | 第43-44页 |
| 4.3.2 工作温度对异质结器件能带结构的影响 | 第44页 |
| 4.3.3 小结 | 第44-46页 |
| 第五章 总结 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |