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用于固态调制器的IGBT串并联电路研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
第1章 绪论第11-20页
    1.1 研究背景及研究意义第11-16页
    1.2 国内外研究现状第16-19页
        1.2.1 IGBT串联技术研究现状第16-18页
        1.2.2 IGBT并联技术研究现状第18-19页
    1.3 本文主要的研究内容第19-20页
第2章 IGBT的工作原理及特性分析第20-28页
    2.1 IGBT基本结构及工作原理第20-22页
    2.2 IGBT特性分析第22-25页
        2.2.1 静态特性第22-24页
        2.2.2 动态特性第24-25页
    2.3 IGBT主要参数第25-26页
    2.4 擎住效应第26-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第3章 IGBT驱动电路设计第28-38页
    3.1 驱动电路的设计要求第28-29页
    3.2 驱动芯片EXB841第29-31页
        3.2.1 驱动芯片EXB841简介第29-30页
        3.2.2 EXB841工作原理第30-31页
    3.3 基于EXB841驱动电路的设计第31-36页
        3.3.1 EXB841存在的不足第31-32页
        3.3.2 过电流的检测第32-34页
        3.3.3 驱动电路控制信号第34页
        3.3.4 驱动电路的设计原理第34-36页
    3.4 实验结果分析第36-37页
    3.5 本章小结第37-38页
第4章 多IGBT串联电路设计及其实验第38-52页
    4.1 影响串联IGBT分压不均衡的因素第38-40页
        4.1.1 影响串联均压静态因素第39页
        4.1.2 影响串联均压动态因素第39-40页
    4.2 栅极驱动端均压电路设计原理第40-43页
    4.3 硬件电路设计第43-44页
        4.3.1 驱动电路供电电源第43-44页
        4.3.2 驱动电路控制信号第44页
    4.4 实验结果分析第44-49页
    4.5 高压实验验证第49-51页
        4.5.1 高压的产生第49-50页
        4.5.2 高压测量结果第50-51页
    4.6 本章小结第51-52页
第5章 多IGBT并联扩流电路设计及其实验第52-63页
    5.1 影响并联IGBT不均流的因素第52-55页
        5.1.1 影响静态均流因素分析第52-54页
        5.1.2 影响动态均流因素分析第54-55页
    5.2 并联IGBT特性实验第55-59页
    5.3 多IGBT并联均流电路设计第59-61页
    5.4 多个IGBT并联电路测试第61-62页
    5.5 本章小结第62-63页
第6章 总结第63-65页
参考文献第65-68页
作者简介及攻读硕士期间发表的论文第68-69页
致谢第69页

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