| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管的应用 | 第9-10页 |
| 1.3 薄膜晶体管的基本结构 | 第10-13页 |
| 1.4 薄膜晶体管的工作原理 | 第13-18页 |
| 1.5 薄膜晶体管的主要性能参数 | 第18-19页 |
| 1.6 新型氧化物半导体材料的研究 | 第19-22页 |
| 1.6.1 氧化物半导体材料 | 第20-21页 |
| 1.6.2 氧化物半导体材料的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.7 本课题的研究内容和研究意义 | 第22-24页 |
| 1.7.1 本课题的研究内容 | 第22-23页 |
| 1.7.2 本课题的研究意义 | 第23-24页 |
| 第二章氧化物薄膜晶体管的制备与表征方法 | 第24-38页 |
| 2.1 薄膜的制备方法及原理 | 第24-28页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射 | 第24-26页 |
| 2.1.2 真空热蒸发 | 第26页 |
| 2.1.3 旋转涂覆法 | 第26-27页 |
| 2.1.4 脉冲等离子沉积 | 第27-28页 |
| 2.2 氧化物薄膜晶体管的制备方法 | 第28-29页 |
| 2.3 表征分析方法及原理 | 第29-38页 |
| 2.3.1 薄膜的透明性 | 第30-31页 |
| 2.3.2 薄膜的厚度 | 第31页 |
| 2.3.3 薄膜的电学性能 | 第31-34页 |
| 2.3.4 薄膜晶体管的测试方法 | 第34页 |
| 2.3.5 薄膜的微观结构分析方法 | 第34-38页 |
| 第三章 掺钨氧化铟锌薄膜的制备与研究 | 第38-49页 |
| 3.1 本章引言 | 第38页 |
| 3.2 掺钨氧化铟锌薄膜的制备 | 第38-39页 |
| 3.3 掺钨氧化铟锌薄膜的化学组分分析 | 第39-43页 |
| 3.4 掺钨氧化铟锌薄膜的光学性能 | 第43-46页 |
| 3.5 掺钨氧化铟锌薄膜的表面形貌 | 第46-47页 |
| 3.6 掺钨氧化铟锌薄膜的结晶性 | 第47-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 掺钨氧化铟锌薄膜晶体管的性能研究 | 第49-60页 |
| 4.1 本章引言 | 第49页 |
| 4.2 掺钨氧化铟锌薄膜晶体管的制备 | 第49-52页 |
| 4.2.1 射频磁控溅射制备a-IZWO-TFT的实验步骤 | 第49-51页 |
| 4.2.2 脉冲等离子体沉积制备a-IZWO-TFT的实验步骤 | 第51-52页 |
| 4.3 氧分压对TFT性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 钨掺杂量对TFT性能的影响 | 第54-57页 |
| 4.5 溅射总压强对TFT性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.6 采用PPD方法制备的a-IZWO-TFT | 第58-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 器件稳定性的研究与全透明器件的制备 | 第60-67页 |
| 5.1 本章引言 | 第60页 |
| 5.2 热退火和钝化层对TFT稳定性的影响 | 第60-64页 |
| 5.2.1 器件的退火与钝化层的制备 | 第60-61页 |
| 5.2.2 a-IZWO-TFT器件稳定性的测试方法 | 第61-62页 |
| 5.2.3 器件的滞回曲线 | 第62页 |
| 5.2.4 器件的栅极正偏压稳定性 | 第62-64页 |
| 5.3 全透明器件的初步研究 | 第64-66页 |
| 5.3.1 全透明器件的制备 | 第64-66页 |
| 5.3.2 全透明器件的测试 | 第66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 全文总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录 硕士生在读期间的科研成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
