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氢化纳米硅薄膜非线性光学性质研究

摘要第7-10页
ABSTRCT第10-13页
第一章 绪论第16-32页
    1.1 硅基光子学研究背景第16-24页
        1.1.1 硅纳米晶第16-21页
        1.1.2 硅基集成光子学第21-24页
    1.2 本文的主要工作第24-27页
    参考文献第27-32页
第二章 氢化纳米硅薄膜的生长、表征及应用第32-61页
    2.1 硅材料的分类第32-34页
        2.1.1 单晶硅(c-Si)第32页
        2.1.2 非晶硅(a-Si)第32-33页
        2.1.3 氢化纳米硅(nc-Si:H)第33-34页
        2.1.4 其他硅基材料第34页
    2.2 氢化纳米硅薄的膜制备方法第34-42页
        2.2.1 磁控溅射法第35-36页
        2.2.2 激光烧蚀法第36页
        2.2.3 热丝化学气相沉积法第36-38页
        2.2.4 等离子体增强化学气相沉积法第38-42页
    2.3 氢化纳米硅薄膜生长机制第42-48页
        2.3.1 微观生长机制第43-44页
        2.3.2 宏观生长机制第44-48页
    2.4 氢化纳米硅的表征第48-56页
        2.4.1 微观结构表征第48-50页
        2.4.2 光学表征第50-56页
    2.5 氢化纳米硅在器件中的应用第56-57页
        2.5.1 发光二级管第56页
        2.5.2 薄膜晶体管第56页
        2.5.3 太阳电池第56-57页
    2.6 本章小结第57-58页
    参考文献第58-61页
第三章 飞秒激光系统及非线性光学实验理论第61-93页
    3.1 飞秒激光实验平台及控制系统第61-71页
        3.1.1 激光器系统第61-64页
        3.1.2 步进电机平移台系统第64-66页
        3.1.3 信号采集系统第66-67页
        3.1.4 控制系统第67-71页
        3.1.5 实验光路第71页
    3.2 非线性光学简介第71-78页
        3.2.1 激光和非线性光学的诞生第71-75页
        3.2.2 几种简单的非线性光学现象第75-78页
    3.3 Z扫描理论介绍第78-87页
        3.3.1 经典三阶开孔Z扫描理论第78-84页
        3.3.2 经典三阶闭孔Z扫描理论第84-87页
    3.4 飞秒泵浦探测实验简介第87-89页
    3.5 本章小结第89-90页
    参考文献第90-93页
第四章 氢化纳米硅中的可调非线性光学性质第93-113页
    4.1 引言第93-94页
    4.2 氢化纳米硅薄膜样品非线性吸收性质的研究第94-101页
        4.2.1 氢化纳米硅开孔Z扫描实验结果第95-97页
        4.2.2 氢化纳米硅非线性吸收机理的研究第97-101页
    4.3 氢化纳米硅薄膜样品非线性折射性质的研究第101-109页
        4.3.1 闭孔Z扫描实验数据分析方法讨论第101-102页
        4.3.2 氢化纳米硅闭孔Z扫描实验结果第102-104页
        4.3.3 氢化纳米硅非线性折射机理的研究第104-109页
    4.4 本章小结第109-110页
    参考文献第110-113页
第五章 氢化纳米硅薄膜的激光诱导晶化及吸收系数调控第113-133页
    5.1 引言第113页
    5.2 非晶硅/纳米硅薄膜激光诱导晶化简介第113-116页
        5.2.1 非晶硅/纳米硅薄膜晶化方法比较第113-115页
        5.2.2 激光诱导晶化研究现状及其机理第115-116页
    5.3 氢化纳米硅的非线性吸收系数调控第116-126页
        5.3.1 实验现象第116-119页
        5.3.2 机理研究第119-126页
    5.4 一种硅基光限幅器件第126-129页
    5.5 本章小结第129-130页
    参考文献第130-133页
第六章 总结与展望第133-135页
    6.1 本文的主要结论和创新点第133-134页
    6.2 下一步工作建议第134-135页
致谢第135-136页
完成论文目录第136页

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