摘要 | 第7-10页 |
ABSTRCT | 第10-13页 |
第一章 绪论 | 第16-32页 |
1.1 硅基光子学研究背景 | 第16-24页 |
1.1.1 硅纳米晶 | 第16-21页 |
1.1.2 硅基集成光子学 | 第21-24页 |
1.2 本文的主要工作 | 第24-27页 |
参考文献 | 第27-32页 |
第二章 氢化纳米硅薄膜的生长、表征及应用 | 第32-61页 |
2.1 硅材料的分类 | 第32-34页 |
2.1.1 单晶硅(c-Si) | 第32页 |
2.1.2 非晶硅(a-Si) | 第32-33页 |
2.1.3 氢化纳米硅(nc-Si:H) | 第33-34页 |
2.1.4 其他硅基材料 | 第34页 |
2.2 氢化纳米硅薄的膜制备方法 | 第34-42页 |
2.2.1 磁控溅射法 | 第35-36页 |
2.2.2 激光烧蚀法 | 第36页 |
2.2.3 热丝化学气相沉积法 | 第36-38页 |
2.2.4 等离子体增强化学气相沉积法 | 第38-42页 |
2.3 氢化纳米硅薄膜生长机制 | 第42-48页 |
2.3.1 微观生长机制 | 第43-44页 |
2.3.2 宏观生长机制 | 第44-48页 |
2.4 氢化纳米硅的表征 | 第48-56页 |
2.4.1 微观结构表征 | 第48-50页 |
2.4.2 光学表征 | 第50-56页 |
2.5 氢化纳米硅在器件中的应用 | 第56-57页 |
2.5.1 发光二级管 | 第56页 |
2.5.2 薄膜晶体管 | 第56页 |
2.5.3 太阳电池 | 第56-57页 |
2.6 本章小结 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-61页 |
第三章 飞秒激光系统及非线性光学实验理论 | 第61-93页 |
3.1 飞秒激光实验平台及控制系统 | 第61-71页 |
3.1.1 激光器系统 | 第61-64页 |
3.1.2 步进电机平移台系统 | 第64-66页 |
3.1.3 信号采集系统 | 第66-67页 |
3.1.4 控制系统 | 第67-71页 |
3.1.5 实验光路 | 第71页 |
3.2 非线性光学简介 | 第71-78页 |
3.2.1 激光和非线性光学的诞生 | 第71-75页 |
3.2.2 几种简单的非线性光学现象 | 第75-78页 |
3.3 Z扫描理论介绍 | 第78-87页 |
3.3.1 经典三阶开孔Z扫描理论 | 第78-84页 |
3.3.2 经典三阶闭孔Z扫描理论 | 第84-87页 |
3.4 飞秒泵浦探测实验简介 | 第87-89页 |
3.5 本章小结 | 第89-90页 |
参考文献 | 第90-93页 |
第四章 氢化纳米硅中的可调非线性光学性质 | 第93-113页 |
4.1 引言 | 第93-94页 |
4.2 氢化纳米硅薄膜样品非线性吸收性质的研究 | 第94-101页 |
4.2.1 氢化纳米硅开孔Z扫描实验结果 | 第95-97页 |
4.2.2 氢化纳米硅非线性吸收机理的研究 | 第97-101页 |
4.3 氢化纳米硅薄膜样品非线性折射性质的研究 | 第101-109页 |
4.3.1 闭孔Z扫描实验数据分析方法讨论 | 第101-102页 |
4.3.2 氢化纳米硅闭孔Z扫描实验结果 | 第102-104页 |
4.3.3 氢化纳米硅非线性折射机理的研究 | 第104-109页 |
4.4 本章小结 | 第109-110页 |
参考文献 | 第110-113页 |
第五章 氢化纳米硅薄膜的激光诱导晶化及吸收系数调控 | 第113-133页 |
5.1 引言 | 第113页 |
5.2 非晶硅/纳米硅薄膜激光诱导晶化简介 | 第113-116页 |
5.2.1 非晶硅/纳米硅薄膜晶化方法比较 | 第113-115页 |
5.2.2 激光诱导晶化研究现状及其机理 | 第115-116页 |
5.3 氢化纳米硅的非线性吸收系数调控 | 第116-126页 |
5.3.1 实验现象 | 第116-119页 |
5.3.2 机理研究 | 第119-126页 |
5.4 一种硅基光限幅器件 | 第126-129页 |
5.5 本章小结 | 第129-130页 |
参考文献 | 第130-133页 |
第六章 总结与展望 | 第133-135页 |
6.1 本文的主要结论和创新点 | 第133-134页 |
6.2 下一步工作建议 | 第134-135页 |
致谢 | 第135-136页 |
完成论文目录 | 第136页 |