| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 紫外光电探测器简介 | 第13-20页 |
| 1.2.1 紫外光电探测器的原理与结构 | 第13-16页 |
| 1.2.2 紫外光电探测器的性能参数与优化途径 | 第16-20页 |
| 1.3 TiO_2基紫外光电探测器 | 第20-21页 |
| 1.4 异质结宽禁带半导体基紫外光电探测器 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第22-23页 |
| 第二章 TiO_2纳米线阵列的制备及其紫外探测器的研究 | 第23-41页 |
| 2.1 纳米TiO_2的性质 | 第23-25页 |
| 2.2 TiO_2纳米线阵列的制备 | 第25-27页 |
| 2.3 TiO_2纳米线阵列生长机制 | 第27页 |
| 2.4 TiO_2纳米线阵列的表征 | 第27-33页 |
| 2.4.1 X射线衍射表征 | 第27-29页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜表征 | 第29-30页 |
| 2.4.3 原子力显微镜表征 | 第30-31页 |
| 2.4.4 紫外-可见吸收表征 | 第31-33页 |
| 2.5 TiO_2纳米线阵列紫外探测器 | 第33-39页 |
| 2.5.1 TiO_2纳米线阵列紫外探测器的制作 | 第34-35页 |
| 2.5.2 器件的I-V特性测试 | 第35-37页 |
| 2.5.3 器件的响应度测试 | 第37-38页 |
| 2.5.4 器件的响应时间测试 | 第38-39页 |
| 2.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 第三章 SrTiO_3/TiO_2异质结的制备及其紫外探测器的研究 | 第41-57页 |
| 3.1 纳米SrTi O3的性质 | 第41-42页 |
| 3.2 TiO_2基异质结的发展 | 第42-44页 |
| 3.3 SrTiO_3/TiO_2异质结的制备 | 第44-45页 |
| 3.4 SrTiO_3/TiO_2异质结生长机制 | 第45-46页 |
| 3.5 SrTiO_3/TiO_2异质结的表征 | 第46-51页 |
| 3.5.1 X射线衍射表征 | 第46-47页 |
| 3.5.2 扫描电子显微镜表征 | 第47-49页 |
| 3.5.3 透射电子显微镜表征 | 第49-50页 |
| 3.5.4 紫外-可见吸收表征 | 第50-51页 |
| 3.6 SrTiO_3/TiO_2异质结紫外探测器 | 第51-56页 |
| 3.6.1 SrTiO_3/TiO_2异质结紫外探测器的制作 | 第51-52页 |
| 3.6.2 器件的I-V特性测试 | 第52-54页 |
| 3.6.3 器件的响应度测试 | 第54-55页 |
| 3.6.4 器件的响应时间测试 | 第55-56页 |
| 3.7 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 BaTiO_3/TiO_2异质结的制备及其紫外探测器的研究 | 第57-69页 |
| 4.1 纳米BaTiO_3的性质 | 第57页 |
| 4.2 BaTiO_3/TiO_2异质结的发展 | 第57-59页 |
| 4.3 BaTiO_3/TiO_2异质结的制备 | 第59-60页 |
| 4.4 BaTiO_3/TiO_2异质结的表征 | 第60-64页 |
| 4.4.1 X射线衍射表征 | 第60-61页 |
| 4.4.2 扫描电子显微镜表征 | 第61-62页 |
| 4.4.3 紫外-可见吸收表征 | 第62-63页 |
| 4.4.4 原子力显微镜表征 | 第63-64页 |
| 4.5 BaTiO_3/TiO_2异质结紫外探测器 | 第64-67页 |
| 4.5.1 器件的I-V特性测试 | 第65-66页 |
| 4.5.2 器件的响应度测试 | 第66-67页 |
| 4.5.3 器件的响应时间测试 | 第67页 |
| 4.6 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 作者简介及科研成果 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
