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CVD法制备三维石墨烯的研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪论第12-23页
    1.1 石墨烯的制备方法第12-13页
    1.2 三维石墨烯结构的制备第13-18页
        1.2.1 在溶液中CMGs自组装第13-15页
        1.2.2 溶液中CMG衍生物的自组装第15页
        1.2.3 界面处CMGs的自组装第15-16页
        1.2.4 模板引导法第16-17页
        1.2.5 CMGs溶剂热反应第17-18页
        1.2.6 有机溶胶凝胶反应第18页
        1.2.7 光雕图形化技术第18页
    1.3.三维石墨烯结构中的应用第18-21页
        1.3.1 超级电容器第19页
        1.3.2 可伸缩电子器件第19-20页
        1.3.3 催化第20页
        1.3.4 储氢第20页
        1.3.5 环境整治第20-21页
        1.3.6 传感器第21页
    1.4 选题的目的与意义第21-23页
第2章 实验部分第23-27页
    2.1 实验试剂第23页
    2.2 实验仪器第23-24页
    2.3 三维石墨烯的制备第24-25页
        2.3.1 碳源的准备第25页
        2.3.2 模板的预处理第25页
        2.3.3 金属模板催化剂的刻蚀第25页
    2.4 表征与测试方法第25-27页
        2.4.1 扫描电子显微镜第25-26页
        2.4.2 Raman光谱第26页
        2.4.3 四探针电阻率测试仪第26-27页
第3章 三维石墨烯模板的研究第27-48页
    3.1 镍泡沫(NiFoam)第27-33页
        3.1.1 NiFoam制备三维石墨烯的影响因素第28-30页
        3.1.2 NiFoam制备三维石墨烯的表征第30-33页
    3.2 六水合氯化镍(NiCl_2·6H_2O)第33-40页
        3.2.1 NiCl_2·6H_2O的还原第33-34页
        3.2.2 NiCl_2·6H_2O制备三维石墨烯的影响因素第34-40页
        3.2.3 NiCl_2·6H_2O存在的优点和问题第40页
    3.3 模板区别的对比研究第40-41页
    3.4 CVD制备三维石墨烯新方法第41-47页
        3.4.1 NiPowder作为催化剂模板的可行性第41-42页
        3.4.2 NiPowder与高聚物混合物制备第42-43页
        3.4.3 生长温度的影响第43-45页
        3.4.4 NiPowder与高聚物质量比的影响第45-47页
    3.5 本章小结第47-48页
第4章 三维石墨烯碳源的研究第48-73页
    4.1 气体碳源第48-53页
    4.2 固体碳源第53-67页
        4.2.1 PVDF第53-62页
        4.2.2 其他的高聚物第62-63页
        4.2.3 PDA第63-67页
    4.3 碳源区别的对比研究第67-71页
        4.3.1 形貌分析第67-69页
        4.3.2 Raman第69-70页
        4.3.3 电学性能第70-71页
    4.4 本章小结第71-73页
第5章 三维石墨烯转移的研究第73-91页
    5.1 PMMA保护转移第73-81页
        5.1.1 PMMA保护的作用第73-76页
        5.1.2 PMMA的去除第76-81页
            5.1.2.1 丙酮刻蚀法第76-77页
            5.1.2.2 高温分解法第77-81页
    5.2 无PMMA转移第81-86页
        5.2.1 填充液对石墨烯干燥的影响第81-84页
        5.2.2 冷冻干燥法第84-86页
    5.3 转移方法对三维石墨烯的影响第86-90页
        5.3.1 SEM第86-87页
        5.3.2 Raman光谱第87-89页
        5.3.3 电学性能第89-90页
    5.4 本章小结第90-91页
结论第91-92页
参考文献第92-98页
攻读硕士学位期间所发表的论文与专利第98-100页
致谢第100页

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