摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第12-23页 |
1.1 石墨烯的制备方法 | 第12-13页 |
1.2 三维石墨烯结构的制备 | 第13-18页 |
1.2.1 在溶液中CMGs自组装 | 第13-15页 |
1.2.2 溶液中CMG衍生物的自组装 | 第15页 |
1.2.3 界面处CMGs的自组装 | 第15-16页 |
1.2.4 模板引导法 | 第16-17页 |
1.2.5 CMGs溶剂热反应 | 第17-18页 |
1.2.6 有机溶胶凝胶反应 | 第18页 |
1.2.7 光雕图形化技术 | 第18页 |
1.3.三维石墨烯结构中的应用 | 第18-21页 |
1.3.1 超级电容器 | 第19页 |
1.3.2 可伸缩电子器件 | 第19-20页 |
1.3.3 催化 | 第20页 |
1.3.4 储氢 | 第20页 |
1.3.5 环境整治 | 第20-21页 |
1.3.6 传感器 | 第21页 |
1.4 选题的目的与意义 | 第21-23页 |
第2章 实验部分 | 第23-27页 |
2.1 实验试剂 | 第23页 |
2.2 实验仪器 | 第23-24页 |
2.3 三维石墨烯的制备 | 第24-25页 |
2.3.1 碳源的准备 | 第25页 |
2.3.2 模板的预处理 | 第25页 |
2.3.3 金属模板催化剂的刻蚀 | 第25页 |
2.4 表征与测试方法 | 第25-27页 |
2.4.1 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
2.4.2 Raman光谱 | 第26页 |
2.4.3 四探针电阻率测试仪 | 第26-27页 |
第3章 三维石墨烯模板的研究 | 第27-48页 |
3.1 镍泡沫(NiFoam) | 第27-33页 |
3.1.1 NiFoam制备三维石墨烯的影响因素 | 第28-30页 |
3.1.2 NiFoam制备三维石墨烯的表征 | 第30-33页 |
3.2 六水合氯化镍(NiCl_2·6H_2O) | 第33-40页 |
3.2.1 NiCl_2·6H_2O的还原 | 第33-34页 |
3.2.2 NiCl_2·6H_2O制备三维石墨烯的影响因素 | 第34-40页 |
3.2.3 NiCl_2·6H_2O存在的优点和问题 | 第40页 |
3.3 模板区别的对比研究 | 第40-41页 |
3.4 CVD制备三维石墨烯新方法 | 第41-47页 |
3.4.1 NiPowder作为催化剂模板的可行性 | 第41-42页 |
3.4.2 NiPowder与高聚物混合物制备 | 第42-43页 |
3.4.3 生长温度的影响 | 第43-45页 |
3.4.4 NiPowder与高聚物质量比的影响 | 第45-47页 |
3.5 本章小结 | 第47-48页 |
第4章 三维石墨烯碳源的研究 | 第48-73页 |
4.1 气体碳源 | 第48-53页 |
4.2 固体碳源 | 第53-67页 |
4.2.1 PVDF | 第53-62页 |
4.2.2 其他的高聚物 | 第62-63页 |
4.2.3 PDA | 第63-67页 |
4.3 碳源区别的对比研究 | 第67-71页 |
4.3.1 形貌分析 | 第67-69页 |
4.3.2 Raman | 第69-70页 |
4.3.3 电学性能 | 第70-71页 |
4.4 本章小结 | 第71-73页 |
第5章 三维石墨烯转移的研究 | 第73-91页 |
5.1 PMMA保护转移 | 第73-81页 |
5.1.1 PMMA保护的作用 | 第73-76页 |
5.1.2 PMMA的去除 | 第76-81页 |
5.1.2.1 丙酮刻蚀法 | 第76-77页 |
5.1.2.2 高温分解法 | 第77-81页 |
5.2 无PMMA转移 | 第81-86页 |
5.2.1 填充液对石墨烯干燥的影响 | 第81-84页 |
5.2.2 冷冻干燥法 | 第84-86页 |
5.3 转移方法对三维石墨烯的影响 | 第86-90页 |
5.3.1 SEM | 第86-87页 |
5.3.2 Raman光谱 | 第87-89页 |
5.3.3 电学性能 | 第89-90页 |
5.4 本章小结 | 第90-91页 |
结论 | 第91-92页 |
参考文献 | 第92-98页 |
攻读硕士学位期间所发表的论文与专利 | 第98-100页 |
致谢 | 第100页 |