| 摘要 | 第11-13页 |
| ABSTRCT | 第13-15页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 立题背景、目的及意义 | 第16-17页 |
| 1.2 直拉单晶硅生长技术 | 第17-20页 |
| 1.3 熔体中存在的主要对流形式及其主要驱动力 | 第20-21页 |
| 1.4 直拉法生长中的固液相界面 | 第21-22页 |
| 1.5 单晶硅中的缺陷分布及特征 | 第22-24页 |
| 1.6 国内外直拉单晶硅生长模拟研究现状 | 第24-25页 |
| 1.7 本文技术路线和研究内容 | 第25-26页 |
| 1.7.1 技术路线 | 第25页 |
| 1.7.2 研究内容 | 第25-26页 |
| 1.8 本章小结 | 第26-28页 |
| 第二章 CGSim软件的数理基础及其模拟流程 | 第28-44页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 数学模型 | 第28-37页 |
| 2.2.1 控制方程 | 第28-29页 |
| 2.2.2 边界条件 | 第29-31页 |
| 2.2.3 湍流模型 | 第31-32页 |
| 2.2.4 热辐射方程 | 第32-33页 |
| 2.2.5 热辐射边界方程 | 第33-34页 |
| 2.2.6 近似条件 | 第34-36页 |
| 2.2.7 单晶硅直拉法固液界面形状修正 | 第36-37页 |
| 2.2.8 单晶硅中的物质输运 | 第37页 |
| 2.3 物理模型 | 第37-39页 |
| 2.4 CGSim软件模拟流程 | 第39-42页 |
| 2.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 Φ200 mm直拉单晶硅生长的模拟研究 | 第44-78页 |
| 3.1 引言 | 第44页 |
| 3.2 直拉单晶硅生长基本特征的模拟研究 | 第44-51页 |
| 3.2.1 直拉单晶硅生长过程中温场及流场的基本特征 | 第44-47页 |
| 3.2.2 直拉单晶硅生长过程中固液界面的基本特征 | 第47-48页 |
| 3.2.3 V/G比及缺陷类型随单晶硅生长的变化规律 | 第48-49页 |
| 3.2.4 直拉单晶硅生长过程中晶体应力场的变化规律 | 第49-50页 |
| 3.2.5 小结 | 第50-51页 |
| 3.3 拉晶速率对Φ200 mm直拉单晶硅生长影响的模拟 | 第51-57页 |
| 3.3.1 拉晶速率对Φ200 mm直拉单晶硅熔体温场及流场的影响 | 第51-52页 |
| 3.3.2 拉晶速率对Φ200 mm直拉单晶硅熔体固液界面的影响 | 第52-53页 |
| 3.3.3 拉晶速率对Φ200 mm直拉单晶硅V/G比和缺陷分布的影响 | 第53-55页 |
| 3.3.4 拉晶速率对Φ200 mm直拉单晶硅应力场的影响 | 第55-56页 |
| 3.3.5 小结 | 第56-57页 |
| 3.4 晶体转速对Φ200 mm直拉单晶硅生长影响的模拟 | 第57-65页 |
| 3.4.1 晶体转速对Φ200 mm直拉单晶硅熔体温场和流场的影响 | 第57-60页 |
| 3.4.2 晶体转速对Φ200 mm直拉单晶硅固液界面的影响 | 第60-61页 |
| 3.4.3 晶体转速对Φ200 mm直拉单晶硅V/G比和缺陷分布的影响 | 第61-63页 |
| 3.4.4 晶体转速对Φ200 mm直拉单晶硅晶体应力场的影响 | 第63-64页 |
| 3.4.5 小结 | 第64-65页 |
| 3.5 热屏位置对Φ200 mm直拉单晶硅生长影响的模拟 | 第65-75页 |
| 3.5.1 热屏位置对Φ200 mm熔体热场的影响 | 第65-67页 |
| 3.5.2 热屏位置对Φ200 mm熔体流场的影响 | 第67-68页 |
| 3.5.3 热屏位置对Φ200 mm固液界面形状的影响 | 第68-71页 |
| 3.5.4 热屏位置对Φ200 mm直拉单晶硅V/G值的影响 | 第71-72页 |
| 3.5.5 热屏位置对Φ200 mm固液界面上原生点缺陷分布的影响 | 第72-73页 |
| 3.5.6 热屏位置对Φ200 mm晶体中最大热应力的影响 | 第73-75页 |
| 3.5.7 小结 | 第75页 |
| 3.6 本章小结 | 第75-78页 |
| 第四章 Φ450 mm直拉单晶硅生长的模拟研究 | 第78-106页 |
| 4.1 引言 | 第78页 |
| 4.2 拉晶速率对Φ450 mm直拉单晶硅的影响 | 第78-91页 |
| 4.2.1 拉晶速率对Φ450 mm直拉单晶硅温场和流场的影响 | 第80-83页 |
| 4.2.2 拉晶速率对Φ450 mm直拉单晶硅熔体固液界面的影响 | 第83-86页 |
| 4.2.3 拉晶速率对Φ450 mm直拉单晶硅晶体V/G比和缺陷分布的影响 | 第86-89页 |
| 4.2.4 拉晶速率对Φ450 mm直拉单晶硅晶体应力场的影响 | 第89-90页 |
| 4.2.5 结论 | 第90-91页 |
| 4.3 晶体转速和坩埚转速对Φ450 mm直拉单晶硅的影响 | 第91-104页 |
| 4.3.1 晶体转速和坩埚转速对Φ450 mm单晶硅生长熔体温场的影响 | 第92-93页 |
| 4.3.2 晶体转速和坩埚转速对Φ450 mm单晶生长熔体流场的影响 | 第93-97页 |
| 4.3.3 晶体转速和坩埚转速对Φ450 mm大直径直拉单晶硅固液界面的影响 | 第97-99页 |
| 4.3.4 晶体转速和坩埚转速对Φ450 mm直拉单晶硅V/G及缺陷分布的影响 | 第99-102页 |
| 4.3.5 晶体转速和坩埚转速对Φ450 mm直拉单晶硅热应力分布的影响 | 第102-103页 |
| 4.3.6 结论 | 第103-104页 |
| 4.4 本章小结 | 第104-106页 |
| 第五章 结论与展望 | 第106-108页 |
| 5.1 主要结论 | 第106-107页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第114-115页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第115页 |
