| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| Chapter 1 Introduction | 第9-20页 |
| 1.1. Preface | 第9-10页 |
| 1.2. Literature review | 第10-12页 |
| 1.2.1. Applying Silicon Carbide to Optics | 第10-11页 |
| 1.2.2. Advantages over traditional materials | 第11页 |
| 1.2.3. Processing of sintered silicon carbide | 第11-12页 |
| 1.3. Surfacing background | 第12-15页 |
| 1.3.1. Preparation of surface layer of structures made of silicon carbide | 第13-14页 |
| 1.3.2. Technological process of grinding and polishing of samples made ofsilicon carbide | 第14-15页 |
| 1.4. Experimental investigations | 第15-16页 |
| 1.5. CMP polishing | 第16-19页 |
| Summary | 第19-20页 |
| Chapter 2 Methodology | 第20-28页 |
| 2.1. Finite element analysis | 第20-23页 |
| 2.2. Mechanical Polishing | 第23-25页 |
| 2.2.1. Grinding | 第23-24页 |
| 2.2.2. Lapping | 第24页 |
| 2.2.3. Polishing | 第24-25页 |
| 2.3. Chemical mechanical polishing | 第25页 |
| 2.4. Annular polishing experiment platform | 第25-26页 |
| 2.5. Workpiece surface quality inspection method | 第26-27页 |
| 2.6. Surface structure and microstructure | 第27页 |
| Summary | 第27-28页 |
| Chapter 3 FEM Polishing | 第28-38页 |
| 3.1. Theoretical model of grinding removal based on Preston equation | 第28-29页 |
| 3.2. Surface Contact Pressure | 第29-31页 |
| 3.3. FEM Model | 第31-35页 |
| 3.3.1. Material properties | 第31页 |
| 3.3.2. Mesh | 第31-32页 |
| 3.3.3. Boundary condition & Load | 第32-33页 |
| 3.3.4. Assembly | 第33页 |
| 3.3.5. Nodes and element | 第33-34页 |
| 3.3.6 Contact Condition | 第34页 |
| 3.3.7 Creating analysis steps | 第34-35页 |
| 3.4. Processing of FEM | 第35页 |
| 3.5. Analyzing steps | 第35-37页 |
| Summary | 第37-38页 |
| Chapter 4 Simulation Result | 第38-48页 |
| 4.1. Influence of parameters by finite element method | 第38-39页 |
| 4.2. Influence of the load on Surface | 第39-41页 |
| 4.3. Influence of Friction Coefficient | 第41-43页 |
| 4.4. Effect of Polishing Pad Elastic Modulus | 第43-45页 |
| 4.5. Influence of Poisson's Ratio | 第45-47页 |
| Summary | 第47-48页 |
| Chapter 5 Experimental validation | 第48-55页 |
| 5.1. Preparation of sample | 第48-49页 |
| 5.2. Silicon carbide polishing experiment | 第49-50页 |
| 5.3. Polishing results and surface profile measurements | 第50-52页 |
| 5.4. Effect of polishing liquid on polishing quality | 第52-53页 |
| 5.5. Effect of polishing time on polishing quality | 第53-54页 |
| Summary | 第54-55页 |
| Conclusion | 第55-56页 |
| References | 第56-61页 |
| Acknowledgement | 第61页 |
