| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 敏化太阳能电池简介 | 第14-21页 |
| 1.1.1 敏化太阳能电池的结构 | 第14-18页 |
| 1.1.1.1 氧化物半导体薄膜 | 第15-16页 |
| 1.1.1.2 敏化剂的种类 | 第16-18页 |
| 1.1.2 敏化太阳能电池的工作原理 | 第18-20页 |
| 1.1.2.1 敏化太阳能电池的工作原理 | 第18-19页 |
| 1.1.2.2 p-n结 | 第19-20页 |
| 1.1.3 敏化太阳能电池的性能参数 | 第20-21页 |
| 1.2 共同敏化太阳能电池 | 第21-26页 |
| 1.2.1 共同敏化太阳能电池 | 第21-22页 |
| 1.2.2 共同敏化太阳能电池的制备方法 | 第22-26页 |
| 1.2.2.1 化学浴沉积法 | 第22-23页 |
| 1.2.2.2 电沉积法 | 第23-24页 |
| 1.2.2.3 离子置换法 | 第24页 |
| 1.2.2.4 连续离子层吸附法 | 第24-25页 |
| 1.2.2.5 水热法和溶剂热法 | 第25-26页 |
| 1.3 本论文的选题思想和主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的制备和光电转换性质 | 第28-50页 |
| 2.1 引言 | 第28-29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-32页 |
| 2.2.1 主要试剂 | 第29-30页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第30页 |
| 2.2.3 Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的制备 | 第30-32页 |
| 2.2.3.1 水热法制备TNWs薄膜 | 第30-31页 |
| 2.2.3.2 电沉积法制备Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜 | 第31页 |
| 2.2.3.3 Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的性能表征 | 第31-32页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第32-49页 |
| 2.3.1 反应机理 | 第32-33页 |
| 2.3.2 电沉积法制备Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的探索 | 第33-40页 |
| 2.3.2.1 TNWs预处理对Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第33-34页 |
| 2.3.2.2 外加电压对Cu_2O/ZNWs异质结复合薄膜的影响 | 第34-35页 |
| 2.3.2.3 反应温度对Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第35-36页 |
| 2.3.2.4 沉积时间对Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第36-38页 |
| 2.3.2.5 TiO_2纳米线长度对Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第38页 |
| 2.3.2.6 退火处理对Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第38-40页 |
| 2.3.3 Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的表征 | 第40-49页 |
| 2.3.3.1 X射线粉末衍射图(XRD) | 第40-41页 |
| 2.3.3.2 X-射线能量散射谱(EDX) | 第41-42页 |
| 2.3.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第42-43页 |
| 2.3.3.4 透射电子显微镜(TEM) | 第43-44页 |
| 2.3.3.5 紫外-可见吸收光谱图(UV-Vis) | 第44-45页 |
| 2.3.3.6 交流阻抗曲线(EIS) | 第45-46页 |
| 2.3.3.7 光电流-时间响应曲线(I-t) | 第46-48页 |
| 2.3.3.8 线性伏安曲线(I-V) | 第48-49页 |
| 2.4 小结 | 第49-50页 |
| 第三章 Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的制备和光电转换性质 | 第50-65页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 实验部分 | 第51-53页 |
| 3.2.1 主要试剂 | 第51页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第51-52页 |
| 3.2.3 Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的制备 | 第52-53页 |
| 3.2.3.1 水热法制备TNWs薄膜 | 第52页 |
| 3.2.3.2 电沉积法制备Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜 | 第52-53页 |
| 3.2.3.3 离子置换法制备Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜 | 第53页 |
| 3.2.3.4 Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的性能表征 | 第53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-64页 |
| 3.3.1 反应机理 | 第53-54页 |
| 3.3.2 离子置换法制备Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的探索 | 第54-56页 |
| 3.3.2.1 置换时间对Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.2.2 退火处理对Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第55-56页 |
| 3.3.3 Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的表征 | 第56-64页 |
| 3.3.3.1 X射线粉末衍射图(XRD) | 第56-57页 |
| 3.3.3.2 X-射线能量散射谱(EDX) | 第57-58页 |
| 3.3.3.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第58-59页 |
| 3.3.3.4 透射电子显微镜(TEM) | 第59-60页 |
| 3.3.3.5 紫外-可见吸收光谱图(UV-Vis) | 第60-61页 |
| 3.3.3.6 交流阻抗曲线(EIS) | 第61-62页 |
| 3.3.3.7 光电流-时间响应曲线(I-t) | 第62-63页 |
| 3.3.3.8 线性伏安曲线(I-V) | 第63-64页 |
| 3.4 小结 | 第64-65页 |
| 第四章 CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的制备和光电转换性质 | 第65-75页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 实验部分 | 第66-68页 |
| 4.2.1 主要试剂 | 第66页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第66-67页 |
| 4.2.3 CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的制备 | 第67-68页 |
| 4.2.3.1 电沉积法制备Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜 | 第67页 |
| 4.2.3.2 离子置换法制备Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜 | 第67-68页 |
| 4.2.3.3 离子置换法制备CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜 | 第68页 |
| 4.2.3.4 CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的性能表征 | 第68页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第68-74页 |
| 4.3.1 离子置换法制备CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的探索 | 第68-71页 |
| 4.3.1.1 置换时间对CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第68-69页 |
| 4.3.1.2 前驱体浓度对CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第69-70页 |
| 4.3.1.3 退火处理对CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的影响 | 第70-71页 |
| 4.3.2 CuInS_2-Cu_2S-Cu_2O/TNWs异质结复合薄膜的表征 | 第71-74页 |
| 4.3.2.1 X-射线能量散射谱(EDX) | 第71-72页 |
| 4.3.2.2 光电流-时间响应曲线(I-t) | 第72-73页 |
| 4.3.2.3 线性伏安曲线(I-V) | 第73-74页 |
| 4.4 小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-90页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
