| 中文摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-38页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 有机半导体(Organic Semiconductor) | 第15-25页 |
| 1.2.1 有机半导体简介 | 第15-16页 |
| 1.2.2 有机半导体材料的发展 | 第16-18页 |
| 1.2.3 有机半导体材料的分类 | 第18-25页 |
| 1.3 有机场效应晶体管(Organic Field-effect Transistors,OFETs) | 第25-32页 |
| 1.3.1 OFET简介 | 第25-26页 |
| 1.3.2 OFETs器件结构及制备方法 | 第26-27页 |
| 1.3.3 影响OFETs器件性能因素 | 第27-32页 |
| 1.4 本论文的选题思路和意义 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-38页 |
| 第二章 新型吡嗪类氮杂并五苯衍生物的设计合成与表征 | 第38-55页 |
| 2.1 引言 | 第38-39页 |
| 2.2 化合物4F2NTP和4Cl2NTP的分子设计 | 第39-40页 |
| 2.3 化合物4F2NTP和4Cl2NTP的分子合成 | 第40-44页 |
| 2.3.1 试剂与仪器 | 第41页 |
| 2.3.2 中间体及目标分子的合成 | 第41-44页 |
| 2.4 化合物4F2NTP和4Cl2NTP的表征 | 第44-52页 |
| 2.4.1 光学性能 | 第44-45页 |
| 2.4.2 OFET的制备和测试 | 第45-47页 |
| 2.4.3 结果与讨论 | 第47-50页 |
| 2.4.4 薄膜XRD衍射图 | 第50-51页 |
| 2.4.5 薄膜AFM图片 | 第51-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第三章 氮杂并五苯衍生物的场效应传输性质研究 | 第55-80页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 氮杂并五苯衍生物的实验研究 | 第56-68页 |
| 3.2.1 光学性能 | 第56-57页 |
| 3.2.2 电学性能 | 第57-59页 |
| 3.2.3 稳定性 | 第59-60页 |
| 3.2.4 单晶结构分析 | 第60-61页 |
| 3.2.5 XRD数据分析-薄膜构型与堆积方式 | 第61-63页 |
| 3.2.6 AFM图片分析-薄膜形貌 | 第63-64页 |
| 3.2.7 薄膜的场效应性能研究 | 第64-68页 |
| 3.3 氮杂并五苯衍生物的理论研究 | 第68-75页 |
| 3.3.1 电荷耦合强度计算 | 第69页 |
| 3.3.2 分子重组能计算 | 第69-71页 |
| 3.3.3 迁移率计算 | 第71-72页 |
| 3.3.4 单晶迁移率计算 | 第72-73页 |
| 3.3.5 无定型薄膜迁移率计算 | 第73-75页 |
| 3.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 第四章 氮杂并五苯衍生物的非线性光学性质研究 | 第80-97页 |
| 4.1 引言 | 第80-81页 |
| 4.2 氮杂并五苯衍生物光限幅现象 | 第81-89页 |
| 4.2.1 实验材料和测试方法 | 第81-82页 |
| 4.2.2 溶液状态光限幅现象 | 第82-85页 |
| 4.2.3 薄膜状态Z-scan测试结果 | 第85-86页 |
| 4.2.4 非线性吸收系数 | 第86-89页 |
| 4.3 光限幅现象机制探索 | 第89-93页 |
| 4.3.1 实验材料和测试方法 | 第89页 |
| 4.3.2 激发态吸收(ESA) | 第89-93页 |
| 4.4 本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第五章 含硫、氧、氮的并苯类衍生物设计与合成 | 第97-111页 |
| 5.1 引言 | 第97-98页 |
| 5.2 以S杂原子修饰的蒽并噻吩分子(ADT)的设计与合成 | 第98-101页 |
| 5.2.1 ADT衍生物分子的设计 | 第98-99页 |
| 5.2.2 中间体及目标产物的合成 | 第99-101页 |
| 5.3 以O、S杂原子修饰的并噻吩五元杂环酮分子(DQ)的设计与合成 | 第101-105页 |
| 5.3.1 DQ衍生物分子的设计 | 第101-102页 |
| 5.3.2 中间体及目标产物的合成 | 第102-104页 |
| 5.3.3 TIPS-DQ分子自由基 | 第104-105页 |
| 5.4 以N、S杂原子修饰的氮杂并五苯分子(D-A-D结构)设计和合成 | 第105-108页 |
| 5.4.1 D-A-D衍生物分子设计 | 第105-106页 |
| 5.4.2 中间体及目标产物的合成 | 第106-108页 |
| 5.5 本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-111页 |
| 第六章 n-型小分子半导体材料的设计与合成探索 | 第111-121页 |
| 6.1 引言 | 第111页 |
| 6.2 分子设计 | 第111-112页 |
| 6.3 试反应 | 第112-116页 |
| 6.3.1 小分子设计与合成 | 第112-113页 |
| 6.3.2 n-型有机小分子表征 | 第113-116页 |
| 6.4 扩环反应 | 第116-119页 |
| 6.4.1 分子设计和合成 | 第116-117页 |
| 6.4.2 反应分析 | 第117页 |
| 6.4.3 理论计算电荷分布 | 第117-119页 |
| 6.5 有待深入研究问题和展望 | 第119页 |
| 6.6 本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-121页 |
| 第七章 总结与展望 | 第121-126页 |
| 7.1 总结 | 第121-125页 |
| 7.1.1 氮杂并五苯衍生物场效应电学性质研究 | 第121-123页 |
| 7.1.2 氮杂并五苯衍生物非线性光学性质研究 | 第123-124页 |
| 7.1.3 杂原子修饰并苯衍生物光电学性质研究 | 第124-125页 |
| 7.2 展望 | 第125-126页 |
| 7.2.1 氮杂并五苯衍生物非线性光学性质研究 | 第125页 |
| 7.2.2 杂原子修饰并苯衍生物场效应传输性质研究 | 第125页 |
| 7.2.3 杂原子修饰并苯衍生物非线性光学性质研究 | 第125-126页 |
| 附录 | 第126-147页 |
| 在学期间的研究成果 | 第147-148页 |
| 作者简历 | 第148-149页 |
| 致谢 | 第149-150页 |
