| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物的研究背景 | 第11-16页 |
| 1.1.1 Ⅲ族氮化物的基本结构和性质 | 第12-13页 |
| 1.1.2 Ⅲ族氮化物在紫外光电子领域的应用 | 第13-15页 |
| 1.1.3 Ⅲ族氮化物紫外光电子器件的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物纳米材料的独特魅力 | 第16-26页 |
| 1.2.1 Ⅲ族氮化物纳米材料的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.2.2 Ⅲ族氮化物纳米结构的生长机理研究 | 第19-22页 |
| 1.2.3 各种形貌的Ⅲ族氮化物纳米材料/结构 | 第22-25页 |
| 1.2.4 Ⅲ族氮化物纳米结构在紫外光电器件中的应用优势 | 第25-26页 |
| 1.3 掺杂AlN纳米材料的研究背景 | 第26-28页 |
| 1.4 选题依据与研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-37页 |
| 第二章 AlN六方纳米结构阵列的制备及实验参数的优化探索 | 第37-53页 |
| 2.1 前言 | 第37-38页 |
| 2.2 实验装置和流程介绍 | 第38-39页 |
| 2.3 产物表征设备 | 第39页 |
| 2.4 AlN六方纳米管阵列的结构与形貌 | 第39-41页 |
| 2.5 AlN六方纳米管阵列的生长行为分析 | 第41-42页 |
| 2.6 AlN六方纳米结构实验参数的进一步调控 | 第42-47页 |
| 2.6.1 实验温度的影响 | 第43-44页 |
| 2.6.2 NH_3流量的影响 | 第44页 |
| 2.6.3 生长时间的影响 | 第44-46页 |
| 2.6.4 衬底材料的影响 | 第46-47页 |
| 2.7 多种形貌新颖、排列规则的六方纳米结构阵列的可控生长 | 第47-48页 |
| 2.8 AlN纳米管阵列的发光性能探索 | 第48页 |
| 2.9 本章小结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 第三章 Mn掺杂AlN六方复杂纳米迷宫结构的制备及性能研究 | 第53-69页 |
| 3.1 前言 | 第53页 |
| 3.2 实验装置及流程 | 第53-54页 |
| 3.3 产物表征设备 | 第54页 |
| 3.4 结果与讨论 | 第54-57页 |
| 3.4.1 Mn掺杂AlN六方复杂纳米迷宫阵列的结构分析 | 第54-55页 |
| 3.4.2 表面形貌分析 | 第55-56页 |
| 3.4.3 光致发光性能分析 | 第56-57页 |
| 3.5 掺杂温度和Mn掺杂源质量对Mn掺杂AlN纳米结构形貌和性能的影响 | 第57-64页 |
| 3.5.1 掺杂温度的影响 | 第58-60页 |
| 3.5.2 Mn掺杂源质量的影响 | 第60-64页 |
| 3.6 Mn掺杂AlN纳米结构的磁性研究 | 第64页 |
| 3.7 本章小节 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 Mg掺杂AlN六方纳米棒阵列的制备及紫外发光性能研究 | 第69-81页 |
| 4.1 前言 | 第69页 |
| 4.2 实验装置及流程 | 第69-70页 |
| 4.3 产物表征设备 | 第70页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第70-77页 |
| 4.4.1 Mg掺杂AlN六方纳米棒的结构表征 | 第70-73页 |
| 4.4.2 形貌表征 | 第73-75页 |
| 4.4.3 光致发光性能研究 | 第75-77页 |
| 4.5 Mg掺杂量影响作用的进一步验证讨论 | 第77-78页 |
| 4.6 本章小节 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第五章 Co掺杂AlN六方纳米结构的制备及性能研究 | 第81-91页 |
| 5.1 前言 | 第81页 |
| 5.2 实验装置及流程 | 第81页 |
| 5.3 产物表征设备 | 第81-82页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第82-88页 |
| 5.4.1 Co掺杂AlN六方纳米结构系列样品的结构分析 | 第82-84页 |
| 5.4.2 表面形貌分析 | 第84-85页 |
| 5.4.3 发光性能研究 | 第85-86页 |
| 5.4.4 磁学性能研究 | 第86-88页 |
| 5.5 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-91页 |
| 第六章 利用Ga掺杂AlN制备AlGaN纳米材料的探索性研究 | 第91-107页 |
| 6.1 前言 | 第91页 |
| 6.2 实验装置及流程 | 第91-92页 |
| 6.3 产物表征设备 | 第92页 |
| 6.4 GaCl_3作为Ga源制备GaN和AlGaN纳米材料 | 第92-96页 |
| 6.5 金属Ga作为Ga源制备GaN和AlGaN纳米材料 | 第96-100页 |
| 6.6 AlGaN材料的光学带隙的研究 | 第100-102页 |
| 6.7 本章小节 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-107页 |
| 第七章 金催化InN纳米线的制备及光学性质研究 | 第107-119页 |
| 7.1 前言 | 第107页 |
| 7.2 实验装置及流程 | 第107-108页 |
| 7.3 产物表征设备 | 第108页 |
| 7.4 结果与讨论 | 第108-114页 |
| 7.4.1 样品的结构与形貌表征 | 第108-113页 |
| 7.4.2 InN纳米线的生长行为分析 | 第113-114页 |
| 7.5 InN纳米线的光学性能研究 | 第114-115页 |
| 7.6 本章小节 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第八章 总结与展望 | 第119-123页 |
| 在学期间的研究成果 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
