| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 半导体激光器概述 | 第8-11页 |
| 1.2 量子阱激光器概述 | 第11-14页 |
| 1.3 ALDS软件介绍 | 第14-16页 |
| 1.4 论文研究目的和内容 | 第16-20页 |
| 第二章 半导体激光器材料及器件基本理论 | 第20-28页 |
| 2.1 能带、带隙理论 | 第20-21页 |
| 2.2 半导体激光器的激射原理 | 第21-22页 |
| 2.3 多量子阱激光器工作原理 | 第22页 |
| 2.4 激光器物理特性理论模拟计算 | 第22-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 量子阱激光器的结构和原理 | 第28-44页 |
| 3.1 量子阱原理 | 第28-29页 |
| 3.2 激光器结构 | 第29-32页 |
| 3.3 应变量的选取 | 第32-35页 |
| 3.4 量子阱个数的选取 | 第35-41页 |
| 3.5 温度特性的研究 | 第41-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 生长工艺优化 | 第44-54页 |
| 4.1 光栅设计与优化 | 第44-47页 |
| 4.2 外延生长 | 第47-54页 |
| 总结与展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |