| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-11页 |
| 参考文献 | 第10-11页 |
| 第2章 拓扑绝缘体简介 | 第11-18页 |
| 2.1 霍尔效应,量子霍尔效应 | 第11-12页 |
| 2.2 量子自旋霍尔效应,量子反常霍尔效应 | 第12-13页 |
| 2.3 拓扑绝缘体 | 第13-15页 |
| 2.4 边缘态理论 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第3章 BTK论 | 第18-25页 |
| 3.1 BdG方程 | 第18-19页 |
| 3.2 Andreev反射(局域Andreev反射) | 第19-21页 |
| 3.3 BTK理论 | 第21页 |
| 3.4 非局域Andreev反射 | 第21-22页 |
| 3.5 超导邻近效应 | 第22-24页 |
| 3.5.1 正常金属/超导隧道结中的邻近效应 | 第22页 |
| 3.5.2 拓扑绝缘体/超导隧道结中的邻近效应 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-25页 |
| 第4章 基于狭窄的二维拓扑绝缘体的拓扑超导结的自旋输运性质研究 | 第25-40页 |
| 4.1 研究背景 | 第25-26页 |
| 4.2 理论模型与解析推导 | 第26-31页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第31-38页 |
| 4.3.1 在入射自旋向上的电子,参数α_2=0时,A_L,A_R,B_L,B_R随能量的变化 | 第31-33页 |
| 4.3.2 在入射自旋向下的电子,参数α_2=0时,A_L,A_R,B_L,B_R随能量的变化 | 第33-35页 |
| 4.3.3 在入射自旋向上的电子,参数α_2=α_1时,A_L,A_R,B_L,B_R随能量的变化 | 第35-36页 |
| 4.3.4 微分电导谱 | 第36-37页 |
| 4.3.5 噪声谱 | 第37-38页 |
| 4.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第5章 任意磁构型下的基于三维拓扑绝缘体的拓扑超导结的自旋输运性质研究 | 第40-50页 |
| 5.1 研究背景 | 第40页 |
| 5.2 理论模型及解析推导 | 第40-44页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第44-49页 |
| 5.3.1 在不同磁构型和偏置电压下,电导随电子入射角α的变化 | 第44-46页 |
| 5.3.2 在不同磁交换能和偏置电压下,电导随两磁性区域磁交换场方向的夹角η的变化 | 第46-47页 |
| 5.3.3 TMR随两磁性区域磁交换场方向的夹角η的变化 | 第47-48页 |
| 5.3.4 在不同的磁交换能m和两磁性区域磁交换场方向的夹角η的情况下,电导随偏置电压eV的变化 | 第48-49页 |
| 5.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第6章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 附录 | 第53-55页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
