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ZnO透明导电纳米线阵列的可控生长研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
第一章 绪论第10-22页
    1.1 研究背景及意义第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-15页
        1.2.1 透明导电薄膜的研究现状第11-12页
        1.2.2 氧化物透明导电薄膜的研究现状第12页
        1.2.3 ZnO-TCO薄膜的研究现状第12-15页
    1.3 一维氧化锌纳米材料的制备第15-17页
        1.3.1 ZnO-TCO薄膜制备技术第15-16页
        1.3.2 电沉积法制备技术介绍第16-17页
    1.4 染料敏化太阳能电池的介绍第17-19页
        1.4.1 染料敏化太阳能电池基本概念第18页
        1.4.2 DSSC电池的光电转换机理第18-19页
    1.5 研究内容及创新点第19-22页
第二章 ZnO透明导电纳米线阵列的电沉积法生长机理第22-34页
    2.1 引言第22页
    2.2 实验部分第22-26页
        2.2.1 实验材料与设备第22-24页
        2.2.2 实验方案与步骤第24-26页
    2.3 结果与分析第26-31页
        2.3.1 循环伏安曲线第26-28页
        2.3.2 溶液的PH值变化第28-30页
        2.3.3 ZnO与掺杂ZnO薄膜成核与长大过程第30-31页
    2.4 本章小结第31-34页
第三章 Zn(NO_3)_2-Al(NO_3)_3 和Zn(NO_3)_2-In(NO_3)_3 水溶液体系电沉积ZnO生长行为的比较第34-44页
    3.1 引言第34页
    3.2 ZnO薄膜的制备第34-35页
    3.3 结果与分析第35-43页
        3.3.1 ZnO薄膜的XRD分析第35-37页
        3.3.2 ZnO薄膜的SEM表征第37-41页
        3.3.3 ZnO薄膜的成分分析第41-43页
    3.4 本章小结第43-44页
第四章 Al掺杂ZnO纳米线阵列的结构与形貌调控第44-52页
    4.1 引言第44页
    4.2 ZnO薄膜的制备第44-45页
        4.2.1 不同浓度Al掺杂ZnO薄膜第44页
        4.2.2 不同沉积时间Al掺杂ZnO薄膜第44-45页
        4.2.3 不同沉积电位Al掺杂ZnO薄膜第45页
    4.3 结果与分析第45-50页
        4.3.1 不同Al掺杂浓度下制备的ZnO薄膜表征第45-48页
        4.3.2 不同反应时间下制备的ZnO薄膜表征第48-49页
        4.3.3 不同反应电位下制备的ZnO薄膜表征第49-50页
    4.4 本章小结第50-52页
第五章 TiO_2膜表面修饰Al掺杂ZnO纳米线阵列第52-60页
    5.1 引言第52页
    5.2 实验材料与方案第52-53页
    5.3 结果与讨论第53-58页
        5.3.1 晶相结构第53-55页
        5.3.2 表面微观形貌第55-57页
        5.3.3 电学性能第57-58页
    5.4 本章小节第58-60页
总结与展望第60-62页
    全文总结第60-61页
    对未来工作的展望与建议第61-62页
参考文献第62-67页
致谢第67-68页
附录 攻读学位期间取得的学术成果及参与课题第68页

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