| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 研究背景和意义 | 第11-24页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·ZnO 结构和性能 | 第11-12页 |
| ·ZnMgO 薄膜及其p 型掺杂研究进展 | 第12-21页 |
| ·本文的立题依据、研究内容及创新点 | 第21-24页 |
| 2 实验设备及性能表征 | 第24-35页 |
| ·射频磁控溅射的原理 | 第24-25页 |
| ·薄膜的制备流程 | 第25-28页 |
| ·薄膜的性能评价 | 第28-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 3 离子注入及退火 | 第35-40页 |
| ·离子注入的原理 | 第35-38页 |
| ·退火(热处理) | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 4 Mg 浓度对 Zn_(1-x）Mg_xO 薄膜性能的影响 | 第40-45页 |
| ·Zn_(1-x）Mg_xO 薄膜的XRD 分析 | 第40-41页 |
| ·Zn_(1-x）Mg_xO 薄膜的光学特性 | 第41-43页 |
| ·Zn_(1-x）Mg_xO 薄膜的电学特性 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 5 In-N 共掺p 型 ZnMgO 薄膜的特性研究 | 第45-55页 |
| ·p 型ZnMgO:In-N 薄膜转变分布情况 | 第45-46页 |
| ·ZnMgO:In-N 薄膜的电学特性 | 第46-47页 |
| ·ZnMgO:In-N 薄膜的XRD 分析 | 第47-48页 |
| ·ZnMgO:In-N 薄膜的元素化学态分析 | 第48-52页 |
| ·p 型ZnMgO:In-N 薄膜的稳定性 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 6 结论与展望 | 第55-57页 |
| ·主要结论 | 第55-56页 |
| ·后续工作与展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录:攻读硕士学位期间发表的论文及科研情况 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |