铜基薄膜的制备及电爆性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 概述 | 第9-11页 |
| 1.1.1 冲击片雷管组成及原理 | 第9-10页 |
| 1.1.2 冲击片雷管性能 | 第10-11页 |
| 1.2 冲击片雷管的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 冲击片雷管发展历程 | 第11-12页 |
| 1.2.2 冲击片雷管部件研究 | 第12-13页 |
| 1.3 爆炸箔及其国内外研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.1 桥箔材料 | 第13-14页 |
| 1.3.2 桥箔形状 | 第14-15页 |
| 1.3.3 桥区尺寸及厚度 | 第15页 |
| 1.4 用于冲击片雷管的铜箔制造工艺 | 第15-17页 |
| 1.4.1 蒸发 | 第16页 |
| 1.4.2 溅射 | 第16-17页 |
| 1.5 本论文选题及主要研究内容 | 第17-19页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第17页 |
| 1.5.2 课题来源 | 第17页 |
| 1.5.3 主要研究内容 | 第17-18页 |
| 1.5.4 本文创新点 | 第18-19页 |
| 2 样品的制备与表征方法 | 第19-33页 |
| 2.1 引言 | 第19页 |
| 2.2 薄膜的沉积 | 第19-26页 |
| 2.2.1 磁控溅射原理 | 第19-21页 |
| 2.2.2 薄膜生长机理 | 第21-22页 |
| 2.2.3 实验设备 | 第22-23页 |
| 2.2.4 提高成膜质量的方法 | 第23-26页 |
| 2.3 薄膜的图形化 | 第26-27页 |
| 2.4 样品的表征方法 | 第27-33页 |
| 2.4.1 薄厚和沉积速率的测量 | 第27-28页 |
| 2.4.2 薄膜结构的表征 | 第28-29页 |
| 2.4.3 薄膜形貌的表征 | 第29-30页 |
| 2.4.4 薄膜电阻率测试 | 第30-32页 |
| 2.4.5 薄膜附着力测试 | 第32-33页 |
| 3 Cu薄膜的制备及结构表征 | 第33-43页 |
| 3.1 Cu薄膜的沉积 | 第33页 |
| 3.2 膜厚均匀性与靶基距的关系 | 第33-35页 |
| 3.3 Cu薄膜的沉积速率 | 第35-36页 |
| 3.3.1 沉积速率与溅射功率的关系 | 第35-36页 |
| 3.3.2 沉积速率与工作气压的关系 | 第36页 |
| 3.4 溅射功率对Cu薄膜微观结构和电阻率的影响 | 第36-39页 |
| 3.5 工作气压对Cu薄膜微观结构和电阻率的影响 | 第39-41页 |
| 3.6 膜基结合力的研究 | 第41-42页 |
| 3.7 小结 | 第42-43页 |
| 4 Cu薄膜微观结构对其电爆性能的影响 | 第43-52页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 电爆测试平台 | 第43-44页 |
| 4.3 短路测试 | 第44-46页 |
| 4.4 电爆效果表征 | 第46页 |
| 4.5 不同充电电压下爆炸箔的电爆性能 | 第46-49页 |
| 4.6 Cu薄膜微观结构对其电爆性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.7 小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第59页 |
