| 摘要 | 第9-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 本文的创新点 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-51页 |
| 1.1 纳米材料 | 第15-16页 |
| 1.2 纳米电子学 | 第16-17页 |
| 1.3 二维纳米材料研究 | 第17-25页 |
| 1.3.1 石墨烯 | 第17-19页 |
| 1.3.2 石墨烯纳米带 | 第19-20页 |
| 1.3.3 六方氮化硼 | 第20-21页 |
| 1.3.4 过渡金属硫化物 | 第21-25页 |
| 1.4 异质结构 | 第25-31页 |
| 1.4.1 垂直堆叠的异质结构 | 第26-28页 |
| 1.4.2 平行拼接的异质结构 | 第28-31页 |
| 1.5 一维单原子纳米链研究 | 第31-32页 |
| 1.6 本课题提出的意义以及主要研究内容 | 第32-34页 |
| 1.6.1 课题提出的意义 | 第32页 |
| 1.6.2 主要研究内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-51页 |
| 第二章 研究方法 | 第51-71页 |
| 2.1 密度泛函理论基础 | 第51-59页 |
| 2.1.1 从头算方法的基本理论(近似条件) | 第51-54页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第54-59页 |
| 2.2 量子输运理论 | 第59-67页 |
| 2.2.1 Landauer-Buttiker理论 | 第59-60页 |
| 2.2.2 量子输运中的非平衡格林函数方法 | 第60-67页 |
| 2.3 相关软件介绍 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第三章 氮化硼纳米片与石墨烯纳米带异质结构的自旋磁性 | 第71-87页 |
| 3.1 引言 | 第71-72页 |
| 3.2 计算方法 | 第72-73页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第73-81页 |
| 3.3.1 掺杂三角形氮化硼纳米片的石墨烯纳米带 | 第73-80页 |
| 3.3.2 具有三角形空位的石墨烯纳米带 | 第80-81页 |
| 3.4 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 第四章 不同拼接方式的二硫化钼和二硫化钨异质结构电子输运性质 | 第87-107页 |
| 4.1 引言 | 第87-88页 |
| 4.2 模型与计算方法 | 第88-89页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第89-99页 |
| 4.3.1 边界是锯齿型的MoS_2NRs/WS_2NRs异质结构 | 第89-93页 |
| 4.3.2 边界是扶手椅型的MoS_2NRs/WS_2NRs异质结构 | 第93-99页 |
| 4.4 结论 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-107页 |
| 第五章 多功能二硫化钼和二硫化钨异质结构及性质 | 第107-127页 |
| 5.1 引言 | 第107页 |
| 5.2 模型与计算方法 | 第107-109页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第109-122页 |
| 5.3.1 aMoS_2-naWS_2NRs双电极器件 | 第109-114页 |
| 5.3.2 zMoS_2-mzWS_2NRs双电极器件 | 第114-122页 |
| 5.4 结论 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 第六章 单原子链异质结构连接石墨烯纳米带电子器件及性质 | 第127-151页 |
| 6.1 引言 | 第127页 |
| 6.2 计算方法 | 第127-128页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第128-145页 |
| 6.3.1 单原子碳链 | 第128-134页 |
| 6.3.2 氮化硼单原子链 | 第134-137页 |
| 6.3.3 碳和氮化硼单原子链异质结构 | 第137-145页 |
| 6.4 结论 | 第145-147页 |
| 参考文献 | 第147-151页 |
| 第七章 总结与展望 | 第151-155页 |
| 7.1 结论 | 第151-152页 |
| 7.2 展望 | 第152-155页 |
| 致谢 | 第155-157页 |
| 附录: 攻读博士期间发表的论文 | 第157-158页 |
| 附件 | 第158-180页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第180页 |
