摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-20页 |
1.1 热电材料的研究背景 | 第8-10页 |
1.1.1 研究背景 | 第8-10页 |
1.1.2 选题意义 | 第10页 |
1.2 热电材料的研究现状 | 第10-18页 |
1.2.1 传统热电材料 | 第10-12页 |
1.2.2 新型热电材料 | 第12-14页 |
1.2.3 氮化镓热电材料 | 第14-18页 |
1.3 研究内容及论文安排 | 第18-20页 |
第2章 热电效应及热电性能提高方法 | 第20-28页 |
2.1 热电效应 | 第20-22页 |
2.1.1 Seebeck效应 | 第20-21页 |
2.1.2 Peltier效应 | 第21-22页 |
2.1.3 Thomson效应 | 第22页 |
2.1.4 Kelvin关系 | 第22页 |
2.2 热电器件和热电性能的表征 | 第22-24页 |
2.2.1 热电器件的工作原理 | 第22-24页 |
2.2.2 热电参数的性能表征 | 第24页 |
2.3 热电性能优化方法 | 第24-25页 |
2.3.1 掺杂 | 第25页 |
2.3.2 低维化 | 第25页 |
2.3.3 梯度化 | 第25页 |
2.4 本章小结 | 第25-28页 |
第3章 GaN及其合金的电输运模型 | 第28-48页 |
3.1 电子输运模型 | 第28-30页 |
3.1.1 玻尔兹曼方程 | 第28页 |
3.1.2 弛豫时间近似 | 第28-29页 |
3.1.3 Kane模型 | 第29-30页 |
3.2 载流子的散射 | 第30-43页 |
3.2.1 电离杂质散射 | 第32-34页 |
3.2.2 合金散射 | 第34-36页 |
3.2.3 声学波形变势散射 | 第36-38页 |
3.2.4 声学波压电散射 | 第38-40页 |
3.2.5 极性光学波散射 | 第40-41页 |
3.2.6 位错散射 | 第41-43页 |
3.3 GaN及其合金的电子输运情况 | 第43-46页 |
3.3.1 GaN的电子输运模型 | 第43-44页 |
3.3.2 InGaN的电子输运情况 | 第44-46页 |
3.4 本章小结 | 第46-48页 |
第4章 GaN及其合金的热输运模型 | 第48-62页 |
4.1 声子及其输运模型 | 第48-52页 |
4.1.1 声子 | 第48-50页 |
4.1.2 Callaway模型 | 第50-52页 |
4.2 声子散射 | 第52-58页 |
4.2.1 声子-声子散射 | 第52-55页 |
4.2.2 点缺陷散射 | 第55-56页 |
4.2.3 位错散射 | 第56-58页 |
4.2.4 边界散射 | 第58页 |
4.3 虚拟晶格模型 | 第58-60页 |
4.4 本章小结 | 第60-62页 |
第5章 GaN及其合金的热电特性 | 第62-72页 |
5.1 半导体材料热电特性的仿真模型 | 第62-63页 |
5.2 GaN的热电特性 | 第63-65页 |
5.2.1 载流子浓度对GaN热电特性的影响 | 第63-64页 |
5.2.2 温度对GaN热电特性的影响 | 第64-65页 |
5.3 InGaN合金的热电特性 | 第65-71页 |
5.3.1 载流子浓度对InGaN合金热电特性的影响 | 第65-68页 |
5.3.2 温度对InGaN合金热电特性的影响 | 第68-71页 |
5.4 本章小结 | 第71-72页 |
结论 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-79页 |
致谢 | 第79页 |