大面积InGaAs-MSM光电探测器研制及其暗电流特性分析
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·通信用探测器的发展概况 | 第11-13页 |
| ·通信用探测器的常见结构 | 第13-16页 |
| ·PIN型探测器 | 第13-14页 |
| ·APD型探测器 | 第14页 |
| ·QWIP型探测器 | 第14-15页 |
| ·MSM型探测器 | 第15-16页 |
| ·研究目的与意义 | 第16-17页 |
| ·本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 InGaAs-MSM探测器的工作原理及分析 | 第18-38页 |
| ·InGaAs材料特性分析 | 第18-21页 |
| ·MSM结构及其工作原理 | 第21-29页 |
| ·MSM基本结构 | 第21-23页 |
| ·MSM探测器工作原理 | 第23-29页 |
| ·MSM器件的主要性能参数 | 第29-32页 |
| ·暗电流和探测率 | 第29页 |
| ·响应度和量子效率 | 第29-30页 |
| ·带宽和响应时间 | 第30-32页 |
| ·改善探测器性能措施 | 第32-37页 |
| ·暗电流和探测率 | 第32-33页 |
| ·响应度和量子效率 | 第33-35页 |
| ·带宽和响应时间 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 3 InGaAs-MSM探测器的结构设计及制备 | 第38-52页 |
| ·探测器的结构设计 | 第38-42页 |
| ·外延层设计 | 第38-41页 |
| ·MSM电极结构设计 | 第41-42页 |
| ·钝化结构设计 | 第42页 |
| ·探测器的模拟 | 第42-44页 |
| ·探测器的制备与工艺 | 第44-51页 |
| ·外延生长 | 第44-47页 |
| ·MSM金属电极的制备 | 第47-49页 |
| ·钝化层的制备 | 第49-50页 |
| ·探测器的封装 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 4 InGaAs-MSM探测器的光电参数表征 | 第52-64页 |
| ·光谱响应 | 第52页 |
| ·暗电流 | 第52-54页 |
| ·带宽 | 第54-56页 |
| ·脉冲响应 | 第56-57页 |
| ·响应度 | 第57-61页 |
| ·测试系统可行性评估 | 第59-60页 |
| ·MSM探测器响应度的计算 | 第60-61页 |
| ·外量子效率 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 5 探测器暗电流特性分析 | 第64-72页 |
| ·短周期超晶格结构的影响 | 第64-66页 |
| ·肖特基势垒增强结构的影响 | 第66-69页 |
| ·钝化层的影响 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 6 总结与展望 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第80页 |
