| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-16页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·钙钛矿材料简介 | 第11-15页 |
| ·钙钛矿材料结构简介 | 第11-12页 |
| ·钙钛矿薄膜的制备技术 | 第12-14页 |
| ·钙钛矿太阳能电池发展历程 | 第14-15页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第15-16页 |
| 第2章 实验的理论基础 | 第16-23页 |
| ·稳态荧光光谱相关知识 | 第16-18页 |
| ·荧光的定义及产生机理 | 第16-17页 |
| ·稳态荧光光谱 | 第17-18页 |
| ·半导体材料发光理论 | 第18-19页 |
| ·时间相关单光子技术 | 第19-20页 |
| ·微波吸收介电谱技术 | 第20-23页 |
| 第3章 光浴对CH_3NH_3PbI_3薄膜荧光量子效率的作用研究 | 第23-38页 |
| ·CH_3NH_3PbI_3薄膜的制备 | 第23-25页 |
| ·光浴下CH_3NH_3PbI_3薄膜荧光量子效率演化 | 第25-27页 |
| ·CH_3NH_3PbI_3薄膜荧光量子效率演化测量影响因素分析 | 第27-31页 |
| ·薄膜厚度的影响 | 第27-28页 |
| ·激发光强度的影响 | 第28-29页 |
| ·不同气体测量环境的影响 | 第29-30页 |
| ·激发光斑尺寸的影响 | 第30-31页 |
| ·CH_3NH_3PbI_3薄膜荧光量子效率演化过程可逆性分析 | 第31页 |
| ·CH_3NH_3PbI_3薄膜载流子弛豫动力学分析 | 第31-33页 |
| ·CH_3NH_3PbI_3薄膜荧光机理解释 | 第33-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第4章 光浴下CH_3NH_3PbI_3薄膜极化过程研究 | 第38-48页 |
| ·CH_3NH_3PbI_3薄膜的荧光强度阶跃行为 | 第38-39页 |
| ·暗置时间对CH_3NH_3PbI_3荧光强度阶跃的影响 | 第39-40页 |
| ·气氛环境对CH_3NH_3PbI_3薄膜荧光强度阶跃的影响 | 第40-41页 |
| ·温度对荧光强度阶跃现象影响的排除 | 第41-42页 |
| ·CH_3NH_3PbI_3薄膜荧光量子效率阶跃现象原因分析 | 第42-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第5章 结束语 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第56页 |
