磁畴壁结构动力学及其应用研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-34页 |
| ·磁电阻效应 | 第9-16页 |
| ·各向异性磁电阻（AMR） | 第9-10页 |
| ·巨磁电阻效应（GMR） | 第10-14页 |
| ·隧道磁电阻效应（TMR） | 第14-16页 |
| ·自旋转移矩效应（STT） | 第16-18页 |
| ·磁随机存储器（MRAM） | 第18-23页 |
| ·传统MRAM | 第20页 |
| ·STT-MRAM | 第20-23页 |
| ·赛道存储器 | 第23-26页 |
| ·自旋纳米振荡器 | 第26-28页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-34页 |
| 第二章 微磁学原理及计算方法 | 第34-50页 |
| ·磁性材料中的能量描述 | 第35-39页 |
| ·交换能 | 第35-36页 |
| ·DM相互作用能 | 第36-37页 |
| ·磁晶各向异性能 | 第37-38页 |
| ·Zeeman能 | 第38页 |
| ·退磁能 | 第38-39页 |
| ·静态微磁学-Brown方程 | 第39-40页 |
| ·动态微磁学 | 第40-44页 |
| ·数值计算方法 | 第44-48页 |
| ·交换能的求解 | 第45页 |
| ·Zeeman能的求解 | 第45页 |
| ·各向异性能的求解 | 第45-46页 |
| ·退磁能的求解 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第三章 双畴壁耦合提高360度畴壁的稳定性 | 第50-71页 |
| ·微磁学模型与参数 | 第51-52页 |
| ·360度畴壁的产生 | 第52-56页 |
| ·360度畴壁与180度畴壁的耦合 | 第56-64页 |
| ·双360度畴壁的耦合 | 第64-68页 |
| ·总结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第四章 自旋波与360度畴壁的相互作用 | 第71-82页 |
| ·研究模型及参数设置 | 第71-72页 |
| ·自旋波驱动的360度畴壁运动 | 第72-76页 |
| ·自旋波的相移 | 第76-77页 |
| ·自旋波的多普勒效应 | 第77-79页 |
| ·总结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第五章 垂直各向异性纳米带中磁畴壁的产生与钉扎 | 第82-98页 |
| ·样品制备与电学测试 | 第83-84页 |
| ·畴壁的产生 | 第84-91页 |
| ·实验结果与分析 | 第84-88页 |
| ·微磁学模拟与分析 | 第88-91页 |
| ·磁畴壁在霍尔条结构处的钉扎与脱钉扎 | 第91-94页 |
| ·结论 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第六章 电流驱动磁skyrmion振荡及应用 | 第98-118页 |
| ·电流驱动的磁skyrmion纳米振荡器 | 第99-112页 |
| ·计算模型及参数设置 | 第99-100页 |
| ·Skyrmion的产生及其稳定性 | 第100-102页 |
| ·电流驱动的单个Skyrmion动力学 | 第102-104页 |
| ·单个Skyrmion的纳米振荡器 | 第104-107页 |
| ·存在杂质下的纳米振荡器稳定性研究 | 第107-108页 |
| ·多个Skyrmion的纳米振荡器 | 第108-112页 |
| ·电流驱动的磁skyrmion四位存储器 | 第112-113页 |
| ·总结 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 第七章 总结和展望 | 第118-120页 |
| ·总结 | 第118-119页 |
| ·展望 | 第119-120页 |
| 研究成果 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
