致谢 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
1 引言 | 第12-14页 |
2 文献综述 | 第14-42页 |
·金刚石性质及应用 | 第14-17页 |
·CVD法金刚石膜沉积技术 | 第17-20页 |
·热丝法(HFCVD) | 第18页 |
·直流电弧等离子体喷射法(DC Arc-jet Plasma CVD) | 第18-19页 |
·微波等离子体法(MPCVD) | 第19-20页 |
·国外MPCVD金刚石膜沉积装置的发展情况 | 第20-25页 |
·石英管式MPCVD装置 | 第20-21页 |
·石英钟罩式MPCVD装置 | 第21-22页 |
·圆柱金属谐振腔式MPCVD装置 | 第22-23页 |
·多模非圆柱谐振腔式MPCVD装置 | 第23页 |
·椭球谐振腔式MPCVD装置 | 第23-25页 |
·国内MPCVD金刚石膜沉积装置的发展情况 | 第25-28页 |
·高品质金刚石膜的制备、微波介电性能及相关应用 | 第28-40页 |
·高品质金刚石膜制备技术的发展 | 第28-30页 |
·高品质金刚石膜的介电性能及其相关应用 | 第30-34页 |
·低损耗微波介电材料的性能测试方法 | 第34-40页 |
·本文的主要研究内容 | 第40-42页 |
3 新型MPCVD金刚石膜沉积装置的模拟及金刚石膜的实验方法 | 第42-50页 |
·新型MPCVD金刚石膜沉积装置的模拟 | 第42-45页 |
·数值模拟软件简介 | 第42-43页 |
·微波电场分布的模拟 | 第43-44页 |
·等离子体分布的模拟 | 第44页 |
·气体温度分布的模拟 | 第44-45页 |
·金刚石膜沉积实验和金刚石膜的测试方法 | 第45-50页 |
·等离子体光发射谱(OES)的测量 | 第45页 |
·金刚石膜材料的表征 | 第45-50页 |
4 新型穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的前期探索 | 第50-60页 |
·初期穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的构想及验证 | 第50-54页 |
·初期穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的结构设计 | 第51-52页 |
·初期穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的数值模拟 | 第52-54页 |
·初期穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的实验验证 | 第54页 |
·初期穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的改进 | 第54-59页 |
·改进后的穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的结构 | 第55页 |
·改进后的穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的数值模拟 | 第55-57页 |
·改进后的穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的实验验证 | 第57-59页 |
·小结 | 第59-60页 |
5 新型穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的设计、建立与性能检测 | 第60-74页 |
·新型穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的设计 | 第60-66页 |
·新型穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的结构 | 第60-62页 |
·新型穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的模拟与优化 | 第62-63页 |
·新型穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的频率依赖性 | 第63-65页 |
·新型穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的特点 | 第65-66页 |
·新型穹顶谐振腔式MPCVD金刚石膜沉积装置的建立 | 第66-67页 |
·新型穹顶式MPCVD金刚石膜沉积装置的性能检测 | 第67-71页 |
·真空性能检测 | 第67页 |
·等离子体宏观分布的实验观察 | 第67-68页 |
·功率-压力匹配特性的检测 | 第68-69页 |
·微波耦合性能测试 | 第69-71页 |
·小结 | 第71-74页 |
6 新型穹顶式MPCVD装置金刚石膜沉积的实验规律研究 | 第74-112页 |
·沉积温度对金刚石膜沉积规律影响的研究 | 第74-82页 |
·沉积温度对金刚石膜表面形貌的影响 | 第75-77页 |
·沉积温度对金刚石膜沉积速率的影响 | 第77-78页 |
·沉积温度对金刚石膜品质的影响 | 第78-80页 |
·沉积温度对金刚石膜晶粒取向的影响 | 第80-82页 |
·甲烷浓度对金刚石膜沉积规律影响的研究 | 第82-90页 |
·甲烷浓度对金刚石膜表面形貌的影响 | 第83-84页 |
·甲烷浓度对金刚石膜沉积速率的影响 | 第84-86页 |
·甲烷浓度对金刚石膜品质的影响 | 第86-88页 |
·甲烷浓度对金刚石膜晶粒取向的影响 | 第88-90页 |
·气体流量对金刚石膜沉积规律影响的研究 | 第90-99页 |
·气体流量对金刚石膜表面形貌的影响 | 第91-93页 |
·气体流量对金刚石膜沉积速率的影响 | 第93-94页 |
·气体流量对金刚石膜品质的影响 | 第94-98页 |
·气体流量对金刚石膜晶粒取向的影响 | 第98-99页 |
·MPCVD装置的真空性能对金刚石膜沉积规律影响的研究 | 第99-106页 |
·MPCVD装置的漏气速率对金刚石膜沉积速率的影响 | 第101-104页 |
·MPCVD装置的漏气速率对金刚石膜表面形貌和品质的影响 | 第104-106页 |
·高品质金刚石自支撑膜的制备及表征 | 第106-110页 |
·高品质金刚石自支撑膜样品的制备 | 第106-107页 |
·高品质金刚石自支撑膜的表征 | 第107-110页 |
·小结 | 第110-112页 |
7 不同质量的金刚石膜介电性能的测试研究 | 第112-136页 |
·分体圆柱谐振腔式低损耗薄膜介电性能测试装置简介 | 第112-115页 |
·分体圆柱谐振腔式低损耗薄膜介电性能测试装置的数学模型 | 第115-118页 |
·介电常数的数学模型 | 第115-117页 |
·微波损耗角正切值的数学模型 | 第117-118页 |
·分体圆柱谐振腔式低损耗薄膜介电性能测试装置的测试过程和可靠性验证 | 第118-124页 |
·对介电性能的测试过程 | 第118-122页 |
·介电性能测试结果的可靠性验证 | 第122-124页 |
·不同质量的金刚石膜的介电性能研究 | 第124-135页 |
·不同金刚石膜待测样品的质量检测 | 第125-129页 |
·不同质量的金刚石膜的介电性能测试 | 第129-132页 |
·金刚石膜介电性能影响因素的讨论 | 第132-135页 |
·小结 | 第135-136页 |
8 结论 | 第136-138页 |
9 主要创新点 | 第138-140页 |
参考文献 | 第140-150页 |
作者简历及在学研究成果 | 第150-154页 |
学位论文数据集 | 第154页 |