| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 第一节 研究背景 | 第14-16页 |
| 第二节 研究历史及现状 | 第16-21页 |
| ·微晶硅锗材料的研究现状 | 第16-17页 |
| ·微晶硅锗太阳电池的研究现状 | 第17-18页 |
| ·太阳电池光电模拟研究现状 | 第18-21页 |
| 第三节 本论文的目标 | 第21-22页 |
| 第四节 本论文的结构 | 第22-23页 |
| 第二章 基本原理和表征手段 | 第23-37页 |
| 第一节 RF-PECVD法制备μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜基本原理 | 第23-24页 |
| 第二节 测试表征手段 | 第24-31页 |
| ·厚度测量 | 第24页 |
| ·光、暗电导率的测试 | 第24-25页 |
| ·XRF测试 | 第25页 |
| ·透射反射测试 | 第25-26页 |
| ·AFM测试 | 第26-27页 |
| ·XRD测试 | 第27-28页 |
| ·拉曼散射光谱 | 第28-29页 |
| ·傅里叶变换红外吸收谱 | 第29-30页 |
| ·J-V特性测试 | 第30页 |
| ·量子效率曲线测试 | 第30-31页 |
| 第三节 模拟原理 | 第31-36页 |
| ·AMPS的模型以及原理 | 第31-34页 |
| ·AMPS-1D的操作流程 | 第34-35页 |
| ·ASA软件介绍 | 第35-36页 |
| ·Matlab软件介绍 | 第36页 |
| 第四节 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 微晶硅锗材料的制备以及光学常数的提取 | 第37-60页 |
| 第一节 引言 | 第37-40页 |
| ·实验设备介绍 | 第37-38页 |
| ·实验内容 | 第38-40页 |
| 第二节 微晶硅锗薄膜的制备 | 第40-52页 |
| ·μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜锗含量和生长速率的控制 | 第40-44页 |
| ·μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜结构和电学特性的控制 | 第44-52页 |
| 第三节 微晶硅锗薄膜光学常数的提取 | 第52-58页 |
| ·计算理论 | 第53-55页 |
| ·Matlab方法与PUMA方法、Swanepoel方法计算薄膜光学常数的比较 | 第55-58页 |
| ·不同锗含量微晶硅锗材料的光学常数计算 | 第58页 |
| 第四节 小结 | 第58-60页 |
| 第四章 不同陷光结构建模 | 第60-111页 |
| 第一节 Reyleigh-Sommerfeld理论matlab实现的基本流程 | 第60-72页 |
| ·辐射率的基本定义 | 第60-65页 |
| ·Reyleigh-Sommerfeld方法的基本理论 | 第65-67页 |
| ·Reyleigh-Sommerfeld理论Matlab实现流程 | 第67-72页 |
| 第二节 随机性和周期性结构的透射散射建模 | 第72-82页 |
| ·随机性散射结构建模 | 第72-75页 |
| ·周期性散射结构建模 | 第75-82页 |
| 第三节 叠加形貌的透射散射建模 | 第82-90页 |
| ·叠加形貌的实现 | 第82-84页 |
| ·叠加形貌与各独立形貌散射特性的对比 | 第84-88页 |
| ·独立形貌改变对复合形貌散射特性的影响 | 第88-90页 |
| 第四节 反射散射建模 | 第90-102页 |
| 第五节 斜入射散射建模 | 第102-109页 |
| ·斜入射角度对透射散射的影响 | 第104-107页 |
| ·斜入射角度对反射散射的影响 | 第107-109页 |
| 第六节 本章小结 | 第109-111页 |
| 第五章 微晶硅锗电池的模拟和实验研究 | 第111-142页 |
| 第一节 单结微晶硅锗太阳电池的理论极限 | 第111-117页 |
| ·无光学结构情况下理论极限 | 第111-114页 |
| ·有光学结构情况下的理论极限 | 第114-117页 |
| 第二节 单结微晶硅锗太阳电池的光电模拟 | 第117-122页 |
| ·光学模拟 | 第117-118页 |
| ·I/N缺陷态密度对载流子收集的影响 | 第118-119页 |
| ·P/I缺陷态密度对载流子收集的影响 | 第119-120页 |
| ·本征层迁移率对载流子收集的影响 | 第120页 |
| ·实验对比 | 第120-122页 |
| 第三节 单结微晶硅锗太阳电池的实验优化 | 第122-130页 |
| ·GeH_4梯度 | 第123-125页 |
| ·P/I界面 | 第125-127页 |
| ·I/N界面 | 第127-130页 |
| 第四节 微晶硅锗叠层电池的模拟和制备 | 第130-141页 |
| ·TRJ-F/TRJ-M/TRJ-B隧穿结模型 | 第132-136页 |
| ·a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si_(1-x)Ge_x:H最佳带隙匹配 | 第136-137页 |
| ·a-Si:H/a-SiGe:H/μc-Si_(1-x)Ge_x:H最佳厚度匹配 | 第137-141页 |
| 第五节 小结 | 第141-142页 |
| 第六章 总结与展望 | 第142-145页 |
| 第一节 本论文所取得的主要研究结果 | 第142-144页 |
| ·μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜制备与光学参数提取 | 第142页 |
| ·陷光结构建模 | 第142-143页 |
| ·μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池的模拟以及实验优化 | 第143-144页 |
| 第二节 有待进一步开展的工作 | 第144-145页 |
| 参考文献 | 第145-156页 |
| 致谢 | 第156-157页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第157页 |
