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高速低功耗SRAM的设计与实现

摘要第1-11页
ABSTRACT第11-12页
第一章 绪论第12-18页
   ·课题的研究背景第12-15页
     ·嵌入式存储器的研究意义第12-14页
     ·嵌入式存储器的研究现状与挑战第14-15页
     ·SRAM设计技术现状第15页
   ·课题研究的内容、成果第15-16页
   ·本文的组织结构第16-18页
第二章 高速低功耗SRAM设计技术综述第18-30页
   ·SRAM总体结构第18-20页
   ·SRAM存储单元第20-23页
     ·6 管存储单元第20-22页
     ·8 管存储单元第22-23页
   ·高速SRAM设计技术第23-25页
   ·低功耗SRAM设计技术第25-29页
     ·存储单元休眠结构第25-26页
     ·Foot端控制第26-29页
   ·本章小结第29-30页
第三章 65nm工艺带异步复位端的SRAM设计第30-52页
   ·总体设计第30-32页
     ·端口说明第30-31页
     ·工作模式第31页
     ·总体结构第31-32页
   ·关键电路设计第32-39页
     ·存储单元第32-34页
     ·写位线共享策略第34页
     ·地址缓冲第34-35页
     ·译码电路第35-37页
     ·数据读写通路第37-39页
   ·版图设计第39-44页
     ·结构化版图设计第40页
     ·布局规划第40-42页
     ·存储阵列版图第42-43页
     ·版图实现第43-44页
   ·验证与性能测量第44-51页
     ·RTL验证第44-46页
     ·传统的电路和版图验证流程第46-47页
     ·基于XA和ScopeAIM的电路和版图验证流程开发第47-49页
     ·性能模拟与对比第49-51页
   ·本章小结第51-52页
第四章 40nm工艺 1W/2R SRAM设计第52-72页
   ·设计概述第53页
   ·总体设计第53-56页
     ·端口说明第53-54页
     ·电路结构第54页
     ·版图布局第54-56页
   ·关键电路设计第56-67页
     ·存储单元第56页
     ·读写电路第56-61页
     ·译码电路第61-66页
     ·脉冲时钟第66-67页
   ·功能与时序验证第67-68页
   ·实现结果第68-70页
   ·本章小结第70-72页
第五章 总结与展望第72-74页
   ·全文总结第72-73页
   ·研究展望第73-74页
致谢第74-76页
参考文献第76-80页
作者在学期间取得的学术成果第80页

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