| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·半导体紫外光电探测器 | 第8-12页 |
| ·半导体光电探测器的几个重要参数 | 第9-12页 |
| ·理想日盲半导体紫外光电探测器的特点 | 第12页 |
| ·MGZNO基紫外探测器的优势以及其发展现状 | 第12-14页 |
| ·MgZnO基探测器的优势 | 第12-13页 |
| ·MgZnO紫外探测器的研究现状 | 第13-14页 |
| ·MGZNO合金薄膜材料及日盲紫外探测器存在的问题 | 第14-15页 |
| ·本论文的选题依据以及研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 MGZNO合金薄膜材料及其探测器件的制备与表征 | 第16-26页 |
| ·MGZNO合金薄膜材料的制备技术 | 第16-18页 |
| ·金属有机气相沉积(MOCVD)技术 | 第16-17页 |
| ·退火装置 | 第17-18页 |
| ·日盲紫外探测器件的制备工艺 | 第18-19页 |
| ·金属电极蒸镀 | 第18页 |
| ·光刻、腐蚀工艺 | 第18-19页 |
| ·MGZNO合金薄膜薄膜性质表征手段 | 第19-24页 |
| ·透射和吸收光谱 | 第19-20页 |
| ·X射线衍射普 | 第20-21页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第21-22页 |
| ·能量色散谱仪 | 第22页 |
| ·霍尔效应测量系统 | 第22-24页 |
| ·紫外探测器件性能测试手段 | 第24-25页 |
| ·光谱响应测试 | 第24-25页 |
| ·瞬态响应测量 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 立方相MGZNO薄膜材料制备与表征 | 第26-40页 |
| ·ZNO的制备与结构以及光学性质的表征 | 第27-32页 |
| ·ZnO的一些基本性质 | 第27-28页 |
| ·ZnO的制备 | 第28-29页 |
| ·ZnO结构和光学性质的表征 | 第29-32页 |
| ·MGZNO的制备与结构以及光学性质的表征 | 第32-39页 |
| ·MgZnO材料的特性 | 第32-33页 |
| ·Mg组分为0.14的六方相MgZnO的制备与性能研究 | 第33-36页 |
| ·Mg组分为0.57的立方相MgZnO的制备与结构、光学性质研究 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 高MG组分立方相MGZNO薄膜的退火研究 | 第40-45页 |
| ·热退火对MG组分为0.57的立方相MGZNO薄膜的晶体质量与相稳定性的影响 | 第40-42页 |
| ·热退火对MG组分为0.57的立方相MGZNO薄膜的表面形貌和光学性质影响 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 MSM型日盲紫外探测器的制备与特性研究 | 第45-52页 |
| ·半导体光电探测器的分类和特点 | 第45-47页 |
| ·MG_xZN_(1-x)O MSM型结构紫外探测器的制备与性质研究 | 第47-51页 |
| ·MSM型结构探测器的原理与特性 | 第47-48页 |
| ·MSM型结构日盲紫外探测器制备 | 第48-50页 |
| ·MSM型Mg_(0.54)Zn_(0.46)O基紫外探测器的性能表征 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 结论与展望 | 第52-53页 |
| ·全文总结 | 第52页 |
| ·研究展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 硕士期间学术成果和参与项目 | 第57页 |
