| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-18页 |
| ·纳米概述 | 第9页 |
| ·纳米粒子制备方法 | 第9-11页 |
| ·水热/溶剂热法 | 第10页 |
| ·溶胶-凝胶法(胶体化学法) | 第10页 |
| ·模板合成法 | 第10页 |
| ·燃烧法 | 第10-11页 |
| ·沉淀法 | 第11页 |
| ·半导体器件发展 | 第11-12页 |
| ·CuInSe_2研究进展 | 第12-13页 |
| ·CuInS_2研究进展 | 第13-14页 |
| ·Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2半导体薄膜的制备方法 | 第14-17页 |
| ·真空共蒸发法 | 第14-15页 |
| ·磁控溅射法 | 第15页 |
| ·电化学沉积法 | 第15-16页 |
| ·稀有气体保护退火 | 第16页 |
| ·化学浴法 | 第16-17页 |
| ·本论文的目的和意义 | 第17-18页 |
| 第二章 实验部分 | 第18-23页 |
| ·实验药品 | 第18-19页 |
| ·实验器材 | 第19-20页 |
| ·实验装置图 | 第20页 |
| ·表征方法 | 第20-22页 |
| ·紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)吸收光谱 | 第20页 |
| ·能谱仪(EDX) | 第20页 |
| ·X-射线光电子能谱分析(XPS) | 第20-21页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第21页 |
| ·X射线粉末衍射(XRD) | 第21页 |
| ·红外光谱 | 第21页 |
| ·台阶仪 | 第21页 |
| ·四探针测试仪 | 第21-22页 |
| ·工艺流程 | 第22-23页 |
| 第三章 CuInSe_xS_(2-x)的合成与表征 | 第23-32页 |
| ·实验内容 | 第23页 |
| ·结果与表征 | 第23-31页 |
| ·XRD结果分析 | 第23-26页 |
| ·UV-Vis-NIR结果分析 | 第26-27页 |
| ·能谱结果分析 | 第27-29页 |
| ·TEM结果分析 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 CuInSe_xS_(2-x)配体交换及薄膜高温处理 | 第32-39页 |
| ·实验方法 | 第32页 |
| ·结果与表征 | 第32-38页 |
| ·XRD结果分析 | 第32-33页 |
| ·EDX结果分析 | 第33-35页 |
| ·NIR结果分析 | 第35-36页 |
| ·膜厚 | 第36-37页 |
| ·电阻 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 Cu_(2-x)In_xSn_(1-x)Se_(3-x)的合成与表征 | 第39-46页 |
| ·实验方法 | 第39页 |
| ·结果与表征 | 第39-45页 |
| ·XRD结果分析 | 第39-41页 |
| ·TEM结果分析 | 第41-42页 |
| ·EDX结果分析 | 第42-44页 |
| ·XPS结果分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第六章 结论与展望 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 致谢 | 第51页 |
