| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-37页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的原理和工作方式 | 第14-16页 |
| ·OTFT 的结构 | 第14-15页 |
| ·有机薄膜晶体管(OTFT)的工作机理 | 第15-16页 |
| ·OTFT 的性能参数及其表征 | 第16-19页 |
| ·阈值电压 | 第17页 |
| ·载流子迁移率 | 第17-19页 |
| ·开关电流比(Ion/off) | 第19页 |
| ·OTFT 的材料 | 第19-21页 |
| ·有机半导体材料 | 第19页 |
| ·绝缘层材料 | 第19-20页 |
| ·电极材料和衬底材料 | 第20-21页 |
| ·OTFT 的应用 | 第21-23页 |
| ·电极材料和衬底材料 | 第21-22页 |
| ·集成电路 | 第22-23页 |
| ·有机薄膜晶体管结构中各种组分的图案化方法 | 第23-32页 |
| ·类似于光刻工艺的微成型法 | 第23-24页 |
| ·可自写入的喷墨打印法 | 第24-25页 |
| ·微接触法和单分子层修饰的润湿/去润湿图案化法 | 第25-29页 |
| ·两种界面修饰的润湿/去润湿图案化法 | 第29-30页 |
| ·基于表面能差异的物理剥离法 | 第30-32页 |
| ·有机半导体和高分子绝缘聚合物复合材料薄膜晶体管制备 | 第32-35页 |
| ·复合材料在制备有机薄膜晶体管中的意义 | 第32页 |
| ·一步法制备绝缘层和有源层在有机薄膜晶体管中的应用 | 第32-33页 |
| ·小分子有机半导体材料与聚合物绝缘材料的共混行为 | 第33-35页 |
| ·总结 | 第35-36页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第36-37页 |
| 第二章 去润湿图案化制备 TIPS-并五苯有机薄膜晶体管 | 第37-45页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验 | 第38-39页 |
| ·实验原料及仪器 | 第38页 |
| ·器件的制备与测试 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-43页 |
| ·接触角的测量与溶剂的选择 | 第39-41页 |
| ·TIPS-并五苯薄膜的形貌 | 第41-42页 |
| ·器件的电学性能 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43-45页 |
| 第三章 一步法制备图案化的有机小分子半导体 TIPS-并五苯与高分子聚合物绝缘 PMMA 复合材料的有机薄膜晶体管 | 第45-54页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验 | 第46-47页 |
| ·实验所需材料与仪器 | 第46页 |
| ·器件的制备与表征 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-53页 |
| ·纯 TIPS-并五苯器件的迟滞效应 | 第47-48页 |
| ·TIPS-并五苯与 PMMA 复合材料的器件性能研究 | 第48-49页 |
| ·TIPS-并五苯与 PMMA 在复合材料成膜过程中的运动关系 | 第49-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第四章 刮涂法制备去润湿图案化复合材料有机薄膜晶体管 | 第54-59页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·实验 | 第54-55页 |
| ·实验原料及仪器 | 第54页 |
| ·器件的制备与测试 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-58页 |
| ·旋涂法实现图案化出现的器件性能落差 | 第55-56页 |
| ·紫外臭氧清洗时间对基片表面能的影响 | 第56页 |
| ·薄膜形貌与器件性能分析 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与讨论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第67-68页 |
| 附录 | 第68-69页 |
