摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
目录 | 第8-10页 |
1 绪论 | 第10-32页 |
·分子电子学发展 | 第10-13页 |
·微电子器件的极限 | 第11-12页 |
·分子电子学发展历程 | 第12-13页 |
·分子器件概况及其研究进展 | 第13-29页 |
·分子器件基本构筑技术 | 第13-17页 |
·分子器件的理论研究 | 第17-19页 |
·分子器件的量子效应 | 第19-21页 |
·常见的分子器件 | 第21-25页 |
·分子器件的基本要素 | 第25-28页 |
·影响分子器件输运性质的一些因素 | 第28-29页 |
·本文的研究内容及目的和意义 | 第29-32页 |
·研究工作内容 | 第29-30页 |
·研究工作的目的和意义 | 第30-32页 |
2 理论基础及计算方法 | 第32-53页 |
·密度泛函理论 | 第32-38页 |
·Born-Oppenheimer近似 | 第32-33页 |
·Hartree-Fock近似 | 第33-34页 |
·Thomas-Fermi-Dirac模型 | 第34-35页 |
·Hohenberg-Kohn定理 | 第35-36页 |
·Kohn-Sham方程 | 第36-37页 |
·交换关联泛函 | 第37-38页 |
·格林函数方法 | 第38-43页 |
·平衡格林函数 | 第39-40页 |
·非平衡格林函数 | 第40-43页 |
·密度泛函理论与非平衡格林函数方法结合 | 第43-44页 |
·电子输运理论 | 第44-47页 |
·Landauer-Butiker输运理论 | 第44-45页 |
·电流公式 | 第45-47页 |
·计算方法 | 第47-52页 |
·计算模型 | 第48页 |
·电流计算方案 | 第48-52页 |
·相关计算软件介绍 | 第52-53页 |
·ATK | 第52页 |
·VASP | 第52-53页 |
3 桥键的极性与长度对分子器件电荷输运的影响 | 第53-62页 |
·引言 | 第53-54页 |
·计算模型与研究方法 | 第54-56页 |
·计算模型 | 第54-55页 |
·研究方法 | 第55-56页 |
·结果分析与讨论 | 第56-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
4 锚定基团对基于苯环异质结分子器件的影响 | 第62-71页 |
·引言 | 第62-63页 |
·计算模型与方法 | 第63-64页 |
·结果分析与讨论 | 第64-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
5 氟化修饰DT-TTF分子器件的设计和输运性质调控 | 第71-82页 |
·引言 | 第71-72页 |
·计算模型与方法 | 第72-73页 |
·结果分析与讨论 | 第73-80页 |
·本章小结 | 第80-82页 |
6 分子间相互作用对电荷输运性能的影响 | 第82-88页 |
·引言 | 第82-83页 |
·计算模型与研究方法 | 第83-84页 |
·结果分析与讨论 | 第84-87页 |
·本章小结 | 第87-88页 |
7 结论与展望 | 第88-91页 |
·结论 | 第88-89页 |
·展望 | 第89-91页 |
参考文献 | 第91-101页 |
附录 | 第101-102页 |
致谢 | 第102页 |