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含缺陷二维h-BN的第一性原理研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第1章 绪论第9-16页
   ·引言第9页
   ·二维h-BN及其性质简介第9-11页
   ·二维h-BN的研究发展及状况第11-15页
     ·二维h-BN上的空位缺陷第11-13页
     ·杂质原子掺杂二维h-BN第13-15页
   ·本文的目的和研究内容第15-16页
第2章 理论基础和计算方法第16-21页
   ·第一性原理方法第16页
   ·绝热近似(Born-Oppenheimer近似)第16-17页
   ·密度泛函理论第17-19页
     ·Hohenberg-Kohn定理第17页
     ·Kohn-Sham方程第17-18页
     ·交换关联相互作用——LDA近似和GGA近似第18-19页
   ·过渡态理论与NudgedElasticBand方法第19-20页
   ·VASP软件介绍第20-21页
第3章 二维h-BN空位缺陷的研究第21-29页
   ·计算方法与模型第21-22页
   ·二维h-BN空位缺陷的计算结果第22-27页
     ·空位缺陷对二维h-BN微观结构的影响第22-23页
     ·空位缺陷对二维h-BN电子结构的影响第23-26页
     ·空位缺陷对二维h-BN磁性的影响第26-27页
   ·小结第27-29页
第4章 TM原子掺杂二维h-BN的性质研究第29-44页
   ·计算方法与模型第29-30页
   ·TM原子掺杂二维h-BN的研究结果第30-42页
     ·微观几何结构与结合能第30-33页
     ·电子结构与电子的自旋极化第33-38页
     ·电荷转移与磁矩分布第38-41页
     ·最小能量反应路径与反应势垒第41-42页
   ·小结第42-44页
第5章 总结与展望第44-46页
   ·总结第44页
   ·展望第44-46页
参考文献第46-51页
致谢第51-52页
个人简历、攻读硕士期间完成的论文及获奖情况第52页

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