| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| ·超导材料研究现状 | 第15-18页 |
| ·高压研究的重要性及其对超导的影响 | 第18-19页 |
| ·高压下探索富氢电子材料超导的意义和目前的主要问题 | 第19-26页 |
| ·高压下的 AH_4(A=C,Si,Ge,Sn,Pb) | 第20-24页 |
| ·甲烷(CH_4) | 第20-21页 |
| ·硅烷(SiH_4) | 第21-23页 |
| ·其他第四主族元素氢化物的研究情况 | 第23-24页 |
| ·高压下的 AH_4(A=C,Si,Ge)-H2复合体系 | 第24-26页 |
| ·甲烷-氢气体系(CH_4-H2) | 第24-25页 |
| ·硅烷-氢气体系(SiH_4-H2) | 第25-26页 |
| ·锗烷-氢气体系(GeH_4-H2) | 第26页 |
| ·论文选题的目的和基本内容 | 第26-28页 |
| 第二章 金刚石对顶砧高压技术及相关测量方法 | 第28-43页 |
| ·金刚石对顶砧高压技术简介 | 第28-33页 |
| ·金刚石对顶砧(diamond anvil cells，DAC)高压装置 | 第29-30页 |
| ·红宝石压力标定 | 第30-31页 |
| ·传压介质的选择 | 第31页 |
| ·金属封垫 | 第31-32页 |
| ·压力的单位 | 第32页 |
| ·实验步骤 | 第32-33页 |
| ·高压拉曼光谱实验方法 | 第33-35页 |
| ·拉曼光谱测试原理 | 第33-34页 |
| ·高压拉曼光谱实验 | 第34-35页 |
| ·同步辐射 X 光衍射实验方法 | 第35-38页 |
| ·同步辐射光源 | 第35-36页 |
| ·X 射线衍射原理 | 第36页 |
| ·同步辐射角度色散 X 光衍射实验技术 | 第36-38页 |
| ·高压低温电输运测量实验方法 | 第38-40页 |
| ·数据处理方法 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 正戊烷(N-PENTANE)高压下的相变 | 第43-50页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验过程 | 第43-44页 |
| ·正戊烷的高压拉曼光谱 | 第44-47页 |
| ·正戊烷的高压相变分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 四甲基硅烷高压相变研究 | 第50-65页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·实验过程 | 第50-51页 |
| ·结果和讨论 | 第51-59页 |
| ·TMS 加压至 30 GPa 的拉曼光谱图 | 第51-55页 |
| ·TMS 加压至 142 GPa 的拉曼光谱 | 第55-57页 |
| ·相变分析及意义 | 第57-59页 |
| ·TMS 高压同步辐射 X 光实验 | 第59-63页 |
| ·实验过程 | 第59页 |
| ·TMS 随着加压结构的演化 | 第59-63页 |
| ·低压拉曼光谱相变分析补充 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 富氢组分四甲基锗烷的高压相 | 第65-79页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·实验过程 | 第66-67页 |
| ·结果和讨论 | 第67-78页 |
| ·TMGe 的高压振动属性 | 第67-72页 |
| ·TMGe 高压相的确定 | 第72-76页 |
| ·状态方程 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 高压下四甲基锡烷的振动和结构性质 | 第79-94页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·实验过程 | 第80页 |
| ·结果和讨论 | 第80-93页 |
| ·TMT 的高压拉曼光谱 | 第80-86页 |
| ·高压下四甲基锡烷的结构变化 | 第86-89页 |
| ·上述结构对应原子位置的理论计算 | 第89-91页 |
| ·相变结果分析及意义 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第七章 该系列材料的金属化探索和高压电输运测量尝试 | 第94-97页 |
| ·第四主族元素四甲基组分高压下金属化的可能性分析 | 第94-96页 |
| ·四甲基锡烷高压电输运测量的尝试和实验技术困难 | 第96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 结论与展望 | 第97-100页 |
| 本论文的主要工作总结 | 第97-99页 |
| 下一步的工作计划 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-117页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第120页 |
