| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| ·铁电体与铁电存储器的概述 | 第10-11页 |
| ·铁电存储器的发展及分类 | 第11-14页 |
| ·铁电存储器的发展 | 第11-12页 |
| ·铁电存储器的分类 | 第12-14页 |
| ·铁电场效应晶体管 | 第14-15页 |
| ·铁电场效应晶体管的研究现状 | 第14-15页 |
| ·铁电场效应晶体管面临的问题 | 第15页 |
| ·畴变的研究意义 | 第15-17页 |
| ·电畴的翻转 | 第16页 |
| ·电畴的背翻转 | 第16-17页 |
| ·电畴的研究方法 | 第17-21页 |
| ·电畴研究方法简介 | 第17-19页 |
| ·PFM 技术及发展现状 | 第19-21页 |
| ·本论文的选题依据和主要内容 | 第21-23页 |
| 第2章 SBT/HfO_2/Si 结构的制备及表征 | 第23-35页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·SBT 薄膜的制备及表征 | 第23-25页 |
| ·SBT 薄膜的制备过程 | 第23页 |
| ·SBT 薄膜的表征 | 第23-25页 |
| ·HfO_2绝缘层的制备及表征 | 第25-27页 |
| ·HfO_2薄膜的制备过程 | 第25-26页 |
| ·HfO_2薄膜的表征 | 第26-27页 |
| ·SBT/HfO_2/Si 结构的制备及表征 | 第27-34页 |
| ·SBT/HfO_2/Si 结构的制备过程 | 第27-28页 |
| ·SBT/HfO_2/Si 结构的表征 | 第28-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第3章 SBT/HfO_2/Si 结构中电畴结构及外电场下电畴翻转的观测 | 第35-43页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·SBT 薄膜中电畴结构及外电场下电畴翻转的观测 | 第35-38页 |
| ·SBT/HfO_2/Si 结构中电畴结构及外电场下电畴翻转的观测 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第4章 SBT/HfO2/Si 结构保持性能损失过程中电畴演化的观测 | 第43-53页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·SBT/HfO2/Si 结构保持性能损失过程中电畴演化的观测 | 第43-49页 |
| ·SBT/HfO2/Si 结构保持性能损失过程中电畴演化机制探讨 | 第49-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第5章 结论与展望 | 第53-55页 |
| ·论文总结 | 第53页 |
| ·研究展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第64页 |
