| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-11页 |
| ·太阳能电池及钝化进展 | 第8-9页 |
| ·国内太阳能电池研究概况 | 第9-11页 |
| 2 太阳能电池及钝化原理 | 第11-17页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第11-12页 |
| ·太阳能电池效率限制因素以及解决方法 | 第12-14页 |
| ·太阳能电池钝化 | 第14-17页 |
| ·半导体的表面复合 | 第14-15页 |
| ·多种钝化方法比较 | 第15-17页 |
| 3 电化学二氧化硅研究 | 第17-30页 |
| ·二氧化硅及其界面性质 | 第17-20页 |
| ·二氧化硅中缺陷的分类 | 第17-18页 |
| ·二氧化硅中缺陷的产生原理 | 第18-20页 |
| ·电化学二氧化硅特性与生长机理 | 第20-24页 |
| ·电化学二氧化硅生长机理 | 第20-22页 |
| ·电化学二氧化硅特性 | 第22-23页 |
| ·电化学二氧化硅影响因素 | 第23-24页 |
| ·电化学二氧化硅表征技术 | 第24-30页 |
| ·电容-电压测试方法 | 第24-27页 |
| ·表面光伏(SPV)测试技术 | 第27-30页 |
| 4 电化学生长SiO_2/Si界面特性以及钝化效果研究 | 第30-41页 |
| ·电化学二氧化硅制备过程 | 第30页 |
| ·反应电压对SiO_2/Si界面以及硅少子复合的影响 | 第30-35页 |
| ·溶液浓度对SiO_2/Si界面以及硅少子复合的影响 | 第35-36页 |
| ·反应时间对SiO_2/Si界面以及硅少子复合的影响 | 第36-39页 |
| ·栅电压改变表面电荷浓度 | 第39-41页 |
| 5 电化学二氧化硅退火对少子复合过程的影响 | 第41-46页 |
| ·退火条件对SiO_2/Si界面特性的影响 | 第41-43页 |
| ·退火条件对光生少数载流子复合的影响 | 第43-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
