| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·忆阻器简介 | 第10-12页 |
| ·忆阻材料研究现状 | 第12-14页 |
| ·忆阻器机理研究现状 | 第14-17页 |
| ·本论文研究目的和内容结构 | 第17-19页 |
| 2 忆阻材料第一性原理计算方案设计 | 第19-41页 |
| ·忆阻器特性分析 | 第19页 |
| ·材料模拟计算方法 | 第19-20页 |
| ·忆阻器第一性原理计算方案 | 第20-41页 |
| 3 氧化物忆阻材料计算模拟 | 第41-57页 |
| ·氧化物忆阻材料简介 | 第41页 |
| ·模型建立和优化 | 第41-45页 |
| ·电子结构计算和分析 | 第45-52页 |
| ·I-V特性计算和阻变机理探讨 | 第52-56页 |
| ·总结 | 第56-57页 |
| 4 硫系化合物忆阻材料计算模拟 | 第57-65页 |
| ·硫系化合物忆阻材料简介 | 第57-58页 |
| ·模型建立和优化 | 第58-60页 |
| ·计算模拟分析 | 第60-65页 |
| 5 总结与展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |