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FPGA全芯片ESD防护设计和优化

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-11页
   ·论文研究背景与意义第8-9页
   ·ESD防护的发展动态第9-10页
   ·本文的主要工作第10-11页
第二章 ESD防护电路的基本概念第11-31页
   ·ESD放电的模型和测试第11-14页
     ·ESD放电的基本模型及工业标准第11-13页
     ·ESD的测试第13-14页
     ·ESD失效判定第14页
   ·ESD常用器件第14-19页
     ·电阻第14-15页
     ·二极管第15-16页
     ·BJT第16-17页
     ·MOSFET第17-18页
     ·可控硅整流器(SCR)第18-19页
   ·全芯片ESD防护理论第19-30页
     ·全芯片ESD防护电路的基本概念第19-22页
     ·全芯片ESD防护电路的构架第22-26页
     ·多电源IC的全芯片ESD防护电路第26-29页
     ·结论第29-30页
   ·本章小结第30-31页
第三章 FPGA的全芯片ESD防护设计第31-61页
   ·FPGA的I/O接口第31-32页
   ·POWER CLAMP的设计第32-38页
     ·结构尺寸对GGNMOS的影响第33-34页
     ·采用的特殊工艺第34-37页
     ·Power Clamp的布局优化第37-38页
   ·I/O接口的ESD防护电路设计第38-48页
     ·用户I/O的ESD防护电路设计第38-46页
     ·专用I/O的ESD防护电路设计第46-48页
   ·多电源间的ESD防护设计第48-55页
     ·电源轨之间的ESD防护结构第48-49页
     ·二极管串的达林顿放大效应第49-55页
   ·全芯片ESD防护架构第55-59页
   ·本章小结第59-61页
第四章 ESD版图的设计和优化第61-66页
   ·ESD版图的设计和优化第61-65页
   ·本章小结第65-66页
第五章 总结第66-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-71页
攻硕期间取得的研究成果第71页

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