| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 引言 | 第8-9页 |
| 1 ZnO 性质概述 | 第9-18页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·ZnO 的基本性质及应用 | 第10-11页 |
| ·ZnO 纳米晶薄膜的制备方法 | 第11-14页 |
| ·水热法 | 第12页 |
| ·化学气相沉积 | 第12页 |
| ·磁控溅射法 | 第12页 |
| ·（脉冲）激光刻蚀沉积法 | 第12-13页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第13页 |
| ·喷雾热解法 | 第13页 |
| ·分子束外延法 | 第13页 |
| ·电化学法 | 第13-14页 |
| ·模板法 | 第14页 |
| ·ZnO 纳米晶薄膜的形貌 | 第14-15页 |
| ·ZnO 纳米材料薄膜的发展 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要研究内容及目标 | 第16-18页 |
| 2 实验部分 | 第18-21页 |
| ·主要仪器及药品 | 第18-19页 |
| ·实验仪器 | 第18页 |
| ·实验药品 | 第18-19页 |
| ·实验表征方法 | 第19-21页 |
| ·扫描电子显微镜技术（SEM） | 第19页 |
| ·X-射线粉末衍射（XRD） | 第19页 |
| ·荧光光谱 | 第19-20页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第20-21页 |
| 3 ZnO 纳米锥的生长 | 第21-26页 |
| ·ZnO 晶种层的制备 | 第21-22页 |
| ·清洗衬底：FTO 导电玻璃 | 第21页 |
| ·配置晶种溶液 | 第21页 |
| ·提拉法制备晶种 | 第21页 |
| ·退火 | 第21-22页 |
| ·无序 ZnO 纳米锥薄膜制备 | 第22-25页 |
| ·PEI 浓度变化对 ZnO 纳米锥生长的影响 | 第22-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 4 高度有序 ZnO 纳米锥阵列的制备 | 第26-42页 |
| ·ZnO 纳米棒模板制备条件的优化 | 第26-35页 |
| ·晶种溶液浓度对 ZnO 纳米棒模板生长的影响 | 第27页 |
| ·水热生长液浓度对 ZnO 纳米棒模板生长的影响 | 第27-29页 |
| ·提拉速度对 ZnO 纳米棒模板生长的影响 | 第29-31页 |
| ·生长液浓度的二次调变 | 第31页 |
| ·晶种制备次数对 ZnO 纳米棒阵列模板生长的影响 | 第31-32页 |
| ·水热生长时间对 ZnO 纳米棒阵列模板生长的影响 | 第32-33页 |
| ·水热生长温度对 ZnO 纳米棒阵列模板生长的影响 | 第33-34页 |
| ·水热生长中采用不同 Zn2+源对 ZnO 纳米棒阵列模板的影响 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35页 |
| ·高度有序的 ZnO 纳米锥阵列薄膜的生长 | 第35-42页 |
| ·浸泡时间对 ZnO 纳米锥阵列薄膜生长的影响 | 第36-39页 |
| ·二次水热生长液浓度对 ZnO 纳米锥阵列薄膜生长的影响 | 第39页 |
| ·水热生长模板中采用不同 Zn2+源对 ZnO 纳米锥阵列的影响 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 5 ZnO 纳米锥阵列薄膜的结构性能表征 | 第42-47页 |
| ·XRD 分析 | 第42-43页 |
| ·荧光光谱分析 | 第43-44页 |
| ·紫外可见吸收光谱分析 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 6 无序 ZnO 纳米锥及 ZnO 纳米棒阵列的制备 | 第47-52页 |
| ·晶种的制备 | 第47页 |
| ·无序 ZnO 纳米锥薄膜的生长 | 第47-48页 |
| ·有序 ZnO 纳米棒阵列的水热生长 | 第48-49页 |
| ·光学性质对比表征 | 第49-51页 |
| ·紫外可见吸收光谱——透射模式 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
