| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·一维纳米材料的合成方法 | 第10-15页 |
| ·一维纳米结构的性质 | 第15-18页 |
| ·一维半导体纳米器件的优势及其面临的挑战 | 第18-20页 |
| ·本论文的意义、目的和内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第2章 Bi_2Te_3纳米带的合成 | 第24-34页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·Bi_2Te_3纳米带的合成 | 第25-26页 |
| ·Bi_2Te_3纳米带表征 | 第26-30页 |
| ·Bi_2Te_3纳米结构的生长机理分析 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 第3章 Ag_2Se纳米线的合成 | 第34-39页 |
| ·Ag_2Se材料的性质和研究现状 | 第34-35页 |
| ·Ag_2Se纳米线的合成与表征 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第4章 Bi_2Te_3纳米带和Ag_2Se纳米线的电学性能 | 第39-56页 |
| ·一维纳米器件互联与组装 | 第39-48页 |
| ·聚焦电子束沉积(FEB)纳米互联技术 | 第40-41页 |
| ·聚焦离子束沉积(FIB)纳米互联技术 | 第41-42页 |
| ·纳米焊接技术 | 第42-45页 |
| ·基于光刻技术电极制备与器件组装 | 第45-47页 |
| ·利用FIB提高Bi_2Te_3纳米带与电极之间电学接触性能 | 第47-48页 |
| ·Bi_2Te_3纳米带器件电学性能测量 | 第48-50页 |
| ·Ag_2Se纳米线电学性能测量 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| ·参考文献 | 第54-56页 |
| 第5章 结论与展望 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-58页 |
| 发表论文目录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |