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ZnO缺陷物理及GeSbTe相变存储机理的第一性原理研究

论文提要第1-8页
第1章 绪论及理论基础第8-29页
   ·电子科学的若干关键物理问题第8-12页
   ·密度泛函理论基础第12-22页
     ·Hartress-Fock 单电子近似第13-17页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第17-19页
     ·Kohn-Sham 方程第19-21页
     ·密度泛函的交换关联泛函第21-22页
   ·基于密度泛函理论的第一性原理求解方法第22-24页
   ·密度泛函理论的实际应用第24-27页
   ·本论文选题意义及各部分内容简介第27-29页
第2章 集群系统的组建第29-36页
   ·第一性原理计算需求第29页
   ·集群系统的优点第29-31页
   ·集群系统的组建第31-34页
   ·本章总结第34-36页
第3章 氧化锌钙氢束缚缺陷的第一性原理研究第36-46页
   ·研究背景第36-38页
   ·计算方法第38-39页
   ·含钙与不含钙下氢在氧化锌中的束缚稳定性第39-41页
   ·钙氢中性束缚的物理机制第41-45页
   ·本章总结第45-46页
第4章 离子半导体缺陷的中性束缚效应第46-53页
   ·研究目的及计算方法第46页
   ·等价替位阳离子杂质与H+离子的中性束缚效应第46-51页
   ·双等价替位杂质的中性束缚效应第51-52页
   ·本章总结第52-53页
第5章 锗锑碲晶相与非晶相电子结构的第一性原理研究第53-65页
   ·背景第53-55页
   ·计算方法及建模第55-56页
   ·亚稳晶相与非晶相结构与性能分析第56-60页
   ·亚稳晶相与非晶相电子结构分析第60-64页
   ·本章总结第64-65页
第6章 锗锑碲固态非晶化的第一性原理分子动力学研究第65-76页
   ·背景第65-67页
   ·计算方法第67页
   ·锗锑碲亚稳晶相的电荷密度分布第67-69页
   ·电子激发诱导的晶格失稳分析第69-70页
   ·电子激发诱导非晶化的实现及性能分析第70-75页
   ·本章总结第75-76页
参考文献第76-85页
攻读博士期间已发表及待发表的学术论文第85-86页
作者简历第86-87页
致谢第87-89页
中文摘要第89-93页
Abstract第93-96页

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