| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·碳化硅晶须 | 第12-13页 |
| ·SiC 晶须的制备方法 | 第13-17页 |
| ·固相法 | 第13-16页 |
| ·液相法 | 第16页 |
| ·气相法 | 第16-17页 |
| ·碳化硅晶须的生长机理 | 第17-19页 |
| ·VLS 机理 | 第17-18页 |
| ·VS 机理 | 第18-19页 |
| ·碳化硅晶须的应用 | 第19-20页 |
| ·碳化硅晶须的研究开发现状 | 第20-21页 |
| ·基于激光的碳化硅晶须的制备 | 第21页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 激光照射原位生成SiC 晶须的基础理论分析 | 第22-31页 |
| ·晶须生长的阶段及条件 | 第22-23页 |
| ·晶须生长的物料传递机制 | 第23-26页 |
| ·气相传质 | 第24页 |
| ·固相传质 | 第24-25页 |
| ·物质的扩散 | 第25-26页 |
| ·激光照射法原位生成晶须的机理及动力学分析 | 第26-30页 |
| ·激光照射法原位生成晶须的方式及原理 | 第26-27页 |
| ·激光照射法原位生成晶须的机理 | 第27-28页 |
| ·激光照射法原位生成晶须的动力学分析 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 激光照射SiC 纳米颗粒原位生成晶须的试验及分析 | 第31-49页 |
| ·实验部分 | 第31-33页 |
| ·试验设备介绍 | 第31页 |
| ·SiC 纳米颗粒的预处理 | 第31-32页 |
| ·激光照射SiC 纳米材料实验 | 第32-33页 |
| ·试验结果分析 | 第33-47页 |
| ·样品照射层的相组成 | 第33-34页 |
| ·样品照射层微观结构分析 | 第34-46页 |
| ·SiC 晶须生长过程分析 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 激光能量密度对晶须生长的影响 | 第49-59页 |
| ·激光能量密度对晶须生长形貌的影响 | 第49-57页 |
| ·以PVB 为粘结剂时激光能量密度的影响 | 第49-53页 |
| ·以PEG 为粘结剂时激光能量密度的影响 | 第53-57页 |
| ·激光能量密度对晶须生长数量的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结和展望 | 第59-61页 |
| ·本文的主要工作总结 | 第59-60页 |
| ·今后工作的展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第65页 |