| 第一章 绪论 | 第1-14页 |
| 1．1 MPS结构概述碳化硅材料 | 第8-10页 |
| 1．2 碳化硅材料及其在MPS中的应用的发展现状 | 第10-12页 |
| 1．3 本文的研究内容及采用的方法 | 第12-14页 |
| 第二章 4H-SiC MPS工作机理的研究 | 第14-26页 |
| 2．1 模拟中的模型及参数选取 | 第14-18页 |
| 2．1．1 漂移-扩散模型 | 第15页 |
| 2．1．2 迁移率模型 | 第15-16页 |
| 2．1．3 不完全电离模型 | 第16页 |
| 2．1．4 肖特基接触模型 | 第16-17页 |
| 2．1．5 碰撞电离模型 | 第17-18页 |
| 2．2 不同偏压下的工作状态 | 第18-24页 |
| 2．2．1 4H-SiC MPS未加偏压时的状态 | 第18页 |
| 2．2．2 4H-SiC MPS正向开启时的状态 | 第18页 |
| 2．2．3 4H-SiC MPS反向未夹断时的状态 | 第18-24页 |
| 2．2．4 4H-SiC MPS反向夹断后的状态 | 第24页 |
| 2．2．5 总结 | 第24页 |
| 2．3 伏安特性 | 第24-25页 |
| 2．4 小结 | 第25-26页 |
| 第三章 4H-SiC MPS的优化设计 | 第26-35页 |
| 3．1 4H-SiC MPS的理论分析 | 第26-28页 |
| 3．1．1 正向导通 | 第26-27页 |
| 3．1．2 反向阻断 | 第27-28页 |
| 3．2 4H-SiC MPS设计和优化 | 第28-34页 |
| 3．2．1 正向特性与反向特性的折衷 | 第28-31页 |
| 3．2．2 击穿电压的优化 | 第31-34页 |
| 3．3 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 4H-SiC MPS功率损耗特性的研究 | 第35-42页 |
| 4．1 4H-SiC MPS功率损耗特性的解析模型 | 第35-37页 |
| 4．1．1 正向导通时的功耗 | 第35页 |
| 4．1．2 反向阻断时的功耗 | 第35-36页 |
| 4．1．3 温度对功耗的影响 | 第36-37页 |
| 4．2 模拟结果与分析 | 第37-41页 |
| 4．3 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第49页 |