| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 金属氧化物半导体传感器概述 | 第14页 |
| 1.2 三氧化钨基气敏传感器及其应用 | 第14-19页 |
| 1.2.1 三氧化钨结构 | 第15-16页 |
| 1.2.2 三氧化钨基二氧化氮传感器的应用 | 第16页 |
| 1.2.3 三氧化钨基硫化氢传感器的应用 | 第16-18页 |
| 1.2.4 三氧化钨基丙酮传感器的应用 | 第18-19页 |
| 1.2.5 三氧化钨基其他气体传感器的应用 | 第19页 |
| 1.3 三氧化钨气敏性能提高 | 第19-24页 |
| 1.3.1 贵金属元素掺杂 | 第19-20页 |
| 1.3.2 非贵金属元素掺杂 | 第20-21页 |
| 1.3.3 与p型半导体复合 | 第21-22页 |
| 1.3.4 与n型半导体复合 | 第22-23页 |
| 1.3.5 与石墨烯等碳基材料复合 | 第23-24页 |
| 1.4 有序介孔金属氧化物概述 | 第24-26页 |
| 1.4.1 有序介孔金属氧化物的制备 | 第25页 |
| 1.4.2 有序介孔金属氧化物在气敏传感器方向的应用 | 第25-26页 |
| 1.5 本论文主要研究的目的意义及内容 | 第26-28页 |
| 1.5.1 本论文主要研究的目的意义 | 第26-27页 |
| 1.5.2 本论文主要研究内容 | 第27-28页 |
| 第二章 锑、镉和铈掺杂三氧化钨纳米颗粒的制备及其气敏性能研究 | 第28-46页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 实验部分 | 第28-31页 |
| 2.2.1 实验主要试剂与仪器 | 第28-29页 |
| 2.2.2 纯的和掺杂三氧化钨纳米颗粒的制备 | 第29页 |
| 2.2.3 纯的和掺杂三氧化钨纳米颗粒的表征 | 第29-30页 |
| 2.2.4 气敏元件制备及性能测试 | 第30-31页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第31-44页 |
| 2.3.1 结构、形貌和禁带宽度分析 | 第31-35页 |
| 2.3.2 样品结构缺陷分析 | 第35-38页 |
| 2.3.3 气敏性能测试 | 第38-42页 |
| 2.3.4 气敏机理 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 有序介孔WO_3/Zn_复合材料的制备及其气敏性能研究 | 第46-62页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 实验部分 | 第46-49页 |
| 3.2.1 实验主要试剂与仪器 | 第46-47页 |
| 3.2.2 材料制备 | 第47-48页 |
| 3.2.3 样品的表征 | 第48-49页 |
| 3.2.4 气敏元件制备和响应测试 | 第49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-61页 |
| 3.3.1 KIT-6和mWO_3的介孔表征 | 第49-52页 |
| 3.3.2 mWO_3和mWO_3/ZnO的结构表征 | 第52-55页 |
| 3.3.3 气敏性能测试 | 第55-59页 |
| 3.3.4 mZnO/WO_3复合材料的气敏机理 | 第59-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 发表的学术论文 | 第74-76页 |
| 作者和导师简介 | 第76-77页 |
| 附件 | 第77-78页 |
