| 内容提要 | 第1-6页 |
| 第一章 综述 | 第6-19页 |
| ·引言 | 第6页 |
| ·窄禁带半导体 | 第6-16页 |
| ·论文的主要内容及目的 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 INASSB材料的MOCVD 生长 | 第19-47页 |
| ·InAsSb 材料简述 | 第19-27页 |
| ·InAsSb 材料的MOCVD 生长 | 第27-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 第三章 INAS_(1-X)SB_X材料的生长质量研究 | 第47-65页 |
| ·材料的MOCVD 生长参数及表征手段 | 第47-49页 |
| ·表面形貌与生长参数的关系 | 第49-52页 |
| ·结晶质量与生长参数的关系 | 第52-63页 |
| ·总结 | 第63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 INAS_(1-X)SB_X材料的组分及电学特性研究 | 第65-83页 |
| ·InAS_(1-x)Sb_x 材料组分的研究 | 第65-75页 |
| ·InAS_(1-x)Sb_x 材料的电学特性研究 | 第75-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第五章 总结 | 第83-86页 |
| 摘要 | 第86-89页 |
| ABSTRACT | 第89-93页 |
| 致谢 | 第93页 |