| 论文提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·半导体的基本性质 | 第9-13页 |
| ·半导体的晶体结构和性质 | 第10-11页 |
| ·半导体的性质 | 第11-13页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物性质及高压研究的进展 | 第13-14页 |
| ·IV－VI族半导体结构 | 第14-17页 |
| 第二章 实验方法的建立 | 第17-24页 |
| ·高压下原位电学性质研究的发展历史 | 第17-18页 |
| ·现代高压电学测量技术 | 第18-20页 |
| ·压力测量技术 | 第20页 |
| ·高压在位Raman 光谱测量技术 | 第20-21页 |
| ·高压在位电学测量方法 | 第21-24页 |
| ·高压电学测量电路的制备 | 第21-22页 |
| ·电阻率的测量 | 第22-24页 |
| 第三章 高压下硫化铬电阻率测量及相变研究 | 第24-31页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·高压下CdS电阻率测量 | 第24-28页 |
| ·加压前后CdS的颜色对比图 | 第28页 |
| ·高压下CdS的共振Raman光谱图 | 第28-29页 |
| ·静水压比较 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 高压下硒化铅和碲化铅电阻率测量 | 第31-45页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·高压下PbSe电导率测量 | 第31-37页 |
| ·压力作用下PbSe电导率随温度的变化关系 | 第32-34页 |
| ·测量PbSe的四个接触电极测试结果 | 第34-37页 |
| ·高压下PbTe电导率测量 | 第37-44页 |
| ·PbTe电导率随压力的变化关系 | 第37-40页 |
| ·PbTe加压过程与卸压过程电导率随压力的变化关系 | 第40页 |
| ·测量PbTe的四个接触电极测试结果 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 总结 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 中文摘要 | 第51-53页 |
| ABSTRACT | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55页 |